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硬件型号：Risym BTA16-600B
系统版本：半导体系统
晶闸管参数有正向转折电压VBO、断态重复峰值电压VDRM、通态平均电流IT、反向击穿电压VBR、反向重复峰值电压VRRM、正向平均电压降VF、门极触发电压VGT、门极触发电流lGT、门极反向电压、维持电流lH、断态重复峰值电流IDR和反向重复峰值电流IRRM。
（—）正向转折电压VBO
晶闸管的正向转折电压VBO是指在额定结温为100℃且门极(G)开路的条件下，在其阳极(A)与阴极(K)之间加正弦半波正向电压、使其由关断状态转变为导通状态时所对应的峰值电压。
（二）断态重复峰值电压VDRM
断态重复峰值电压VDRM，是指晶闸管在正向阻断时，允许加在A、K(或T1、T2)极间最大的峰值电压。此电压约为正向转折电压减去100V后的电压值。
（三）通态平均电流IT
通态平均电流IT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，晶闸管正常工作时A、K(或T1、T2)极间所允许通过电流的平均值。
（四）反向击穿电压VBR
反向击穿电压是指在额定结温下，晶闸管阳极与阴极之间施加正弦半波反向电压，当其反向漏电电流急剧增加时反对应的峰值电压。
（五）反向重复峰值电压VRRM
反向重复峰值电压VRRM，是指晶闸管在门极G断路时，允许加在A、K极间的最大反向峰值电压。此电压约为反向击穿电压减去100V后的峰值电压。
（六）正向平均电压降VF
正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为0.4~1.2V。
（七）门极触发电压VGT
门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电压，一般为1.5V左右。
（八）门极触发电流lGT
门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的最小门极直流电流。
（九）门极反向电压
门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。
（十）维持电流lH
维持电流lH是指维持晶闸管导通的最小电流。当正向电流小于H时，导通的晶闸管会自动关断。
（十—）断态重复峰值电流IDR
断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向最大平均漏电电流值，一般小于100uA。
（十二）反向重复峰值电流IRRM
反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向最大漏电电流值，一般小于100uA。
