硬件型号:Risym AO3400

 

系统版本:半导体系统

 

场效应管的参数有:

 

1.开启电压UT (MOSFET)

 

通常将刚刚形成导电沟道、出现漏极电流ID时对应的栅一源电压称为开启电压,用UGS(th)或UT表示。开启电压UT是MOS增强型管的参数。当栅一源电压UGS小于开启电压的绝对值时,场效应管不能导通。

 

2.夹断电压UP (JFET)

当UDS为某一固定值(如10V),使ID等于某一微小电流(如50mA)时,栅一源极间加的电压即为夹断电压。当UGS=UP时,漏极电流为零。

 

3.饱和漏极电流IDSS (JFET)

饱和漏极电流IDSS是在UGS =0的条件下,场效应管发生预夹断时的漏极电流。IDSS型场效应管所能输出的最大电流。

 

4.直流输入电阻RGS

直流输入电阻RGS是漏一源短路,栅一源加电压时栅一源极 之间的直流电阻。结型场效应管:RGS》107ΩMOS管:RGS》109~1015Ω。

 

5.跨导Gm

漏极电流的微变量与栅一源电压微变量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量场效应管栅一源电压对漏极电流控制能力的一个参数。gm相当于三极管的hFE。

 

6.最大漏极功耗

最大漏极功耗PD=UDSID,相当于三极管的PCM。