硬件型号:中芯国际CMOS硅片

 

系统版本:半导体系统

 

芯片制造工艺流程:制作晶圆;将晶圆涂膜;晶圆光刻显影、蚀刻;注入离子;测试晶圆特性;封装芯片。

 

 

1、制作晶圆。使用晶圆切片机将硅晶棒切割出所需厚度的晶圆。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)

 

2、晶圆涂膜。在晶圆表面涂上光阻薄膜,该薄膜能提升晶圆的抗氧化以及耐温能力。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)

 

3、晶圆光刻显影、蚀刻。使用紫外光通过光罩和凸透镜后照射到晶圆涂膜上,使其软化,然后使用溶剂将其溶解冲走,使薄膜下的硅暴露出来。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)

 

4、离子注入。使用刻蚀机在裸露出的硅上刻蚀出N阱和P阱,并注入离子,形成PN结(逻辑闸门);然后通过化学和物理气象沉淀做出上层金属连接电路。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)

 

5、晶圆测试。经过上面的几道工艺之后,晶圆上会形成一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。由于每个芯片的拥有的晶粒数量是非常庞大的,完成一次针测试是一个非常复杂的过程,这要求在生产的时候尽量是同等芯片规格的大批量生产,毕竟数量越大相对成本就会越低。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)

 

6、封装。将制造完成的晶圆固定,绑定引脚,然后根据用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外在因素采用各种不同的封装形式;同种芯片内核可以有不同的封装形式,比如:DIP、QFP、PLCC、QFN 等等。

 

芯片制造工艺流程

(图片来源于互联网)