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新能源汽车、智能电网等产业的发展，对功率半导体器件的性能提出更高的要求，由于硅材料的半导体器件性能已经接近物理极限，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的第三代半导体材料开始受到更高的关注。
其中，SiC 最突出的特点就是硬，其硬度高达 13，仅次于硬度 15 的钻石。除此之外，SiC 还具有耐高压、耐高温、低损耗的特点。和 Si 材料对比，SiC 的击穿场强是 Si 的近 10 倍，可达几千伏特的高耐压；采用 SiC 衬底比采用 Si 衬底半导体层更薄、阻值更低，SiC-MOSFET 的漂移区阻值降低到原来的 1/300，从而降低导通损耗；同时，SiC 具有优异的高速开关性能。因此，SiC 被看作电力电子领域最具前景的材料。
以 5kW DC/DC 转换器为例，采用 Si IGBT 电源控制板的体积位 8775cc，重量是 7kg，而采用 SiC MOS 器件及相关电路，电源控制板的体积为 1350cc，重量只有 0.9kg；从效率来看，Si-IGBT 频率为 25kHz，而采用 SiC 器件频率可达 160kHz，损耗降低 60%。
在近期的媒体会上，罗姆半导体（北京）有限公司华北设计中心所长水原德健表示，“SiC 具有更高的击穿电压强度、更低的损耗、更高的热导率，意味着 SiC 器件可以用在高电压、高开关频率、高功率密度的场合，非常适用于光伏储能、xEV、数据中心服务器、风电、智能电网充电站、FA 驱动电源以及家电等应用。”
罗姆半导体（北京）有限公司华北设计中心所长水原德健
性能的大幅度提升，以及政策层面的需求，拉动了 SiC 器件的用量在不断增长。Yole 公司预测，2017~2020 年，SiC 器件的复合年均增长率超过 28 %，到 2020 年市场规模达到 35 亿元人民币，并以超过 40 %的复合年均增长率继续快速增长。
早期投入研发 SiC，已经形成一条龙生产体制
对于 SiC 技术的研发，罗姆早在 2000 年就开始投入研发，于 2009 年收购了 SiC 晶圆供应商 SiCrystal，从此罗姆的 SiC 功率器件形成一条龙的生产体制。并于 2010 年推出 SiC SBD/MOS，2012 年实现全 SiC 模块的量产，2015 年全球首发沟槽型 SiC MOS，2017 年量产 6 英寸 SiC SBD。
罗姆 SiC 产品发展史
SiC 芯片 6 英寸晶圆
如今，罗姆的 SiC 分立器件已经有第二代 SBD、第三代 SBD JBS、第二代 MOS 平面型和第三代 MOS 平面型，电压最高可以做到 1700V。全 SiC 功率模组第二代平面型和第三代沟槽型均已经量产，其中第二代平面型 E 型新品电压可以达到 1700V。
为了应对旺盛的需求，保证长期稳定供应，罗姆开发了完全垂直整合的制造工艺，从晶棒的生产，到晶圆工艺，以及封装组装，全部自行完成。2018 年 4 月公布了日本国内的 Apollo 新工厂，决定新建 20000 平米，将 SiC 和 Gate Driver 的生产能力都提高十几倍。
随着 SiC 大规模量产，价格有望降低
随着 SiC 模块功率制造水平的提高，SiC 将会是越来越适合电动汽车驱动器的半导体器件，采用 SiC 器件是实现电动汽车驱动器高功率密度的有效手段。罗姆预计，到 2020 年，其汽车电子和工业市场将增长到 51%，其中 SiC 主要用于电动汽车，市场足够大，虽然燃油汽车的销量出现了下滑，但是电动汽车的销量还在持续增长，这就是未来的机会。
搭载 ROHM SiC 芯片的 SiC MOSFET 功率模块（1200V/500V 6 合 1 封装）
目前 SiC 无法大面积普及主要是受困于价格太贵，大部分用户追求更高的性价比，从而造成 SiC 模块的销量远远低于 Si 模块。
SiC 之所以一直价格高昂，就是因为生产制造的瓶颈，从硅晶制造来看，生产 8 英寸的硅晶棒，需要约 2 天半的时间来拉晶，6 英寸的硅晶棒则需要约一天。而对于 SiC 晶圆，光长晶的时间，就约需要 7 至 10 天，而且生成的高度可能只有几厘米（硅晶棒可达 1.2 米以上），再加上后续的加工制程也因为硬度的影响而相对困难，因此其产能十分有限，品质也不稳定。因此，SiC 目前只做到了 6 英寸，相对于 Si 器件可以做到 12 英寸成本会高很多。
另一方看还取决于 SiC 材料的发展，SiC 技术的竞争也是背后材料的竞争。2016 年，英飞凌斥资 8.5 亿美金收购了 Ceer 旗下的 Wolfspeed，加强了自身在 SiC 器件方面的供应能力，罗姆则在 2009 年收购了 SiC 晶圆供应商 SiCrystal。
任何一种新材料都要经历一个优化到成熟的过程，随着 SiC 工艺逐渐成熟，特别在车载领域用量不断增加，可靠性得到了很好的验证，可以减少电动汽车重量，提高电源效率。水原德健表示，“更重要的是，随着使用量的增加，SiC 价格会进一步降低，未来有望成为一种成熟的主流功率器件材料。”
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