全球知名半导体制造商 ROHM(总部位于日本京都)开发出 1.6mm×1.6mm 尺寸超小型 MOSFET“RV4xxx 系列”,该系列产品可确保部件安装后的可靠性,且符合汽车电子产品可靠性标准 AEC-Q101,是确保车规级品质的高可靠性产品。另外,产品采用了 ROHM 独有的封装加工技术,非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统(ADAS)摄像头模块等汽车电子的小型化。
 
RV4xxx 系列已于 2019 年 5 月份开始出售样品(样品价格 100 日元/个,不含税),预计于 2019 年 9 月开始暂以月产 10 万个规模投入量产。
 
 
近年来,ADAS 不可或缺的车载摄像头,受安装空间的限制,对所配置部件的小型化要求越来越高。为满足这些市场需求,在保持大电流的前提下,有望进一步实现小型化的底部电极封装 MOSFET 备受瞩目。
 
另一方面,对于汽车电子产品,为确保可靠性,会在产品安装后进行外观检测※1),但由于底部电极封装在侧面没有充分形成稳定的焊接面,因此无法确保汽车电子需要的焊料高度,并且很难确认安装后的焊接状态,这是长期以来存在的课题。
 
ROHM 一直致力于包括超小型 MOSFET 在内的行业领先产品的开发,并创造了傲人业绩。此次,通过引入 ROHM 独有工艺方法的 Wettable Flank 成型技术※2),底面电极封装也能形成焊接面。作为业界首家※保证封装侧面电极部分 130μm 的高度,因此可在产品安装后的外观检测中可以充分确认焊接状态。
 
未来,ROHM 会充分运用 Wettable Flank 成型技术优势,继续开发小型封装技术,并将技术优势从 MOSFET 扩展到双极晶体管和二极管产品,持续扩充追求小型高可靠性的产品阵容。
 
※截至 2019 年 7 月 23 日 ROHM 调查数据
 
 
<特点>
利用融入 ROHM 独有工艺方法的 Wettable Flank 成型技术,保证封装侧面电极部分 130μm 的高度
 
Wettable Flank 成型技术是在封装侧面的引线框架部加入切割再进行电镀的技术。但是,引线框架切割高度越高越容易产生毛刺。
 
为此,ROHM 开发出独有的工艺方法,在引线框架整个表面上设置了用来减少毛刺的阻挡层。这可以防止产品安装时的倾斜和焊接不良,而且作为 DFN1616 封装产品(1.6mm×1.6mm),业界首家保证封装侧面电极部分 130μm 的高度。
 
 
2.替换为小型底部电极 MOSFET,削减安装面积
以往 ADAS 摄像头模块的反接保护电路主要采用肖特基势垒二极管(SBD)。但是,随着摄像头的分辨率日益提高,在超大电流化方向发展的车载市场,由于小型底部电极 MOSFET 具有导通电阻低且可减少发热量的特点,替换掉 SBD 已经是大势所趋。
 
例如电流 2.0A、功耗 0.6W 时,在车载市场被广为使用的带引脚封装 MOSFET,与 SBD 相比,可削减 30%的安装面积。而底部电极封装的 MOSFET,由于是底部电极,散热性更好,不仅可实现小型化,还可实现大电流化。因此,与传统的 SBD 相比,其安装面积可削减 78%,与普通的 MOSFET 相比,其安装面积可削减 68%。
 
 
<产品阵容>
 
 
<术语解说>
※1)外观检测
也称自动光学检查或 AOI(Automated Optical Inspection)。例如,用摄像头扫描电路板,以检查部件缺陷和品质缺陷、焊接状态等。
 
※2)Wettable Flank 技术
在 QFN 和 DFN 等底部电极封装的侧面引线框架部加入切割再进行电镀加工,在侧面也形成电极的技术。