晶体三极管一般指三极管。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。

晶体三极管参数


晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、反向电流等。
(1)电流放大系数,也称电流放大倍数,用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同,电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数,是指在静态无变化信号输入时,晶体管集电极电流 IC 与基极电流 IB 的比值,一般用 hFE 或β表示。 交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数,是指在交流状态下,晶体管集电极电流变化量△IC 与基极电流变化量△IB 的比值,一般用 hfe 或β表示。 
(2)耗散功率,也称集电极最大允许耗散功率 PCM,是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时,其实际功耗不允许超过 PCM 值,否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率 PCM 小于 1W 的晶体管称为小功率晶体管,PCM 等于或大于 1W、小于 5W 的晶体管被称为中功率晶体管,将 PCM 等于或大于 5W 的晶体管称为大功率晶体管。
 (3)频率特性,主要包括特征频率 fT 和最高振荡频率 fM 等。 特征频率 fT 晶体管的工作频率超过截止频率 fβ或 fα时,其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为 1 时晶体管的工作频率。 最高振荡频率 fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为 1 时所对应的频率。 
(4)反向电流,包括其集电极—基极之间的反向电流 ICBO 和集电极—发射极之间的反向击穿电流 ICEO。 ICBO 也称集电结反向漏电电流,是指当晶体管的发射极开路时,集电极与基极之间的反向电流。ICBO 对温度较敏感,该值越小,说明晶体管的温度特性越好。ICEO 是指当晶体管的基极开路时,其集电极与发射极之间的反向漏电电流,也称穿透电流。此电流值越小,说明晶体管的性能越好。

 

晶体三极管参数

 

晶体三极管作用


晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb 的比值称为晶体三极管的电流放大倍数,用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值,但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。晶体三极管还具有开关作用。基极电流的增大,不能使集电极电流继续增大 时,三极管就进入了饱和状态。进入饱和状态之后,三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小,可以理解为 一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用:当基极电流为 0 时,三极管集电极电流为 0(这叫做三极管截止),相当于开关断开;当基极电流很 大,以至于三极管饱和时,相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态,那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。

 

晶体三极管作用

 

晶体三极管结构


晶体三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN 结,两个 PN 结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有 PNP 和 NPN 两种。晶体三极管是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。

 

晶体三极管结构