SiC MOSFET并联均流 LTSpice仿真

近年来，SiC MOSFET逐步成为电力电子领域研究的热门方向，包括功率器件的建模分析、驱动电路的设计和保护机制、并联均流、串扰抑制、损耗模型等。本工作室以SiC MOSFET并联均流为研究方向，通过阅读网上的参考文献，总结相关的均流方法，通过LTSpice软件进行相应电路设计的仿真验证，希望对SiC MOSFET并联均流有研究兴趣的同学有所帮助。

１.文件包括相关的LTSpice仿真文件，仿真文件说明文档

２.仿真验证的并联均流方法：

1）阻抗平衡法

2）耦合电感主动均流法

3）栅压延迟补偿联合切电压补偿法

4）栅源阻抗动态调节主动均流法（本人撰写的专利）

３．如有任何疑问，联系本人QQ：２３５０２８４３０７