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近年来,SiC MOSFET逐步成为电力电子领域研究的热门方向,包括功率器件的建模分析、驱动电路的设计和保护机制、并联均流、串扰抑制、损耗模型等。本工作室以SiC MOSFET并联均流为研究方向,通过阅读网上的参考文献,总结相关的均流方法,通过LTSpice软件进行相应电路设计的仿真验证,希望对SiC MOSFET并联均流有研究兴趣的同学有所帮助。

1.文件包括相关的LTSpice仿真文件,仿真文件说明文档

2.仿真验证的并联均流方法:

1)阻抗平衡法

2)耦合电感主动均流法

3)栅压延迟补偿联合切电压补偿法

4)栅源阻抗动态调节主动均流法(本人撰写的专利)

3.如有任何疑问,联系本人QQ:2350284307

  • 电路城文件.zip
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    描述:电路仿真文件
  • SiC MOSFET并联均流LTSpice仿真验证说明文档.docx
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    描述:仿真原理讲解
  • LTSpice仿真操作文档.docx
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