SiC MOSFET串扰抑制策略仿真

近年来，SiC MOSFET逐步成为电力电子领域研究的热门方向，包括功率器件的建模分析、驱动电路的设计和保护机制、并联均流、串扰抑制、损耗模型等。本工作室以SiC MOSFET串扰抑制为研究方向，通过阅读网上的参考文献，总结相关的串扰抑制方法，通过LTSpice软件进行相应电路设计的仿真验证，希望对SiC MOSFET串扰抑制有研究兴趣的同学有所帮助。

１.文件包括相关的LTSpice仿真文件，仿真文件说明文档

２.仿真文件如下

３．如有任何疑问，联系本人QQ：２３５０２８４３０７