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近年来,SiC MOSFET逐步成为电力电子领域研究的热门方向,包括功率器件的建模分析、驱动电路的设计和保护机制、并联均流、串扰抑制、损耗模型等。本工作室以SiC MOSFET串扰抑制为研究方向,通过阅读网上的参考文献,总结相关的串扰抑制方法,通过LTSpice软件进行相应电路设计的仿真验证,希望对SiC MOSFET串扰抑制有研究兴趣的同学有所帮助。

1.文件包括相关的LTSpice仿真文件,仿真文件说明文档

2.仿真文件如下

3.如有任何疑问,联系本人QQ:2350284307

  • 仿真电路.zip
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  • SiC MOSFET串扰抑制研究.docx
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    描述:说明文档

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