通过扩大晶圆供应,实现硅基 GaN 的成本优势、规模经济和产业化,满足全球 5G 网络建设的需求
 
利用宽带隙的效率和增益,满足 5G 天线频谱和能效要求
 
中国,2019 年 3 月 1 日 -  MACOM Technology Solutions Holdings 公司(纳斯达克股票代码:MTSI) (以下简称“MACOM”)和意法半导体(纽约证券交易所股票代码:STM))(以下简称“ST”)于 25 日宣布,将在 2019 年扩大 ST 工厂 150mm 硅基 GaN 的产能,200mm 硅基 GaN 按需扩产。该扩产计划旨在支持全球 5G 电信网建设,基于 2018 年初 MACOM 和 ST 宣布达成的广泛的硅基 GaN 协议。
 
随着全球推出 5G 网络并转向大规模 MIMO(M-MIMO)天线配置,射频 RF 功率产品需求预计将会大幅提高。具体而言,MACOM 估计功率放大器需求数量将增至 32 倍至 64 倍,相应地,5G 基础设施投资在 5 年内预计增至 3 倍多,因此,单个放大器成本估计会降至十分之一至二十分之一。
 
MACOM 总裁兼首席执行官 John Croteau 表示:“主要的基站 OEM 厂商知道,为满足 5G 天线现场部署的成本、频谱和能效目标,他们需要宽带隙 GaN 器件的性能,以及能够促进升级转型的成本结构和制造规模。通过与意法半导体合作,我们相信只有 MACOM 能够满足基站厂商的全部要求 ---- 产品性能、成本优势和高产量供应链。我们期待,这个早期阶段的联合产能投资,可以使我们布局全球高达 85%的 5G 网络建设市场。”
 
意法半导体汽车与分立产品部总裁 Marco Monti 表示:“作为全球半导体技术的领导者,ST 已经在碳化硅技术领域打下了坚实的基础,我们现在正在推进 RF 硅基 GaN 技术,支持 OEM 厂商建立新一代高性能 5G 网络。碳化硅是汽车功率转换等电源应用的理想选择,而硅基 GaN 能够提供实现 5G 所需的 RF 性能、产能和商用成本结构。ST 和 MACOM 通过这一举措旨在破除行业瓶颈,满足 5G 网络建设需求。”