过去记忆体一向扮演半导体制程的领头羊地位,不仅DRAM厂是率先投入最尖端制程的,连台积电、联电最先进的制程也都先用记忆体来练兵,不过,近年来整个半导体出现改变,逻辑产品制程全面超越记忆体,晶圆代工厂也都直接导入逻辑产品,记忆体退下晶圆厂制程领头羊的地位。



以往记忆体厂的制程往往都领先晶圆代工厂,台积电、联电最先进制程都会用记忆体来练兵,把良率提升到一定程度后,在投入逻辑产品,台积电一向用SRAM(Static RandomAccess Memory,静态随机存取记忆体)练兵,联电则是用DRAM(Dynamic RandomAccess Memory,动态随机存取记忆体),连三星也都是优先量产DRAM及NAND Flash(储存型快闪记忆体)。



不过,在65奈米之后,逻辑产品制程快速赶上,现在逻辑制程已经明显超越记忆体制程,台积电、三星的逻辑制程已经前进到14/16奈米,10奈米已在研发,稍微落后联电也用到28奈米;但是,目前在记忆体厂,三星、东芝进入20 奈米,美光、华亚科则刚刚要进入20奈米,SK海力士准备年中进入20奈米,南亚科、力晶都在30奈米。



微驱科技总经理吴金荣指出,实际上,半导体制程一直是英特尔独家领先好几个世代,英特尔的产品都是逻辑产品,但是其他晶圆厂对于自己的技术没有足够信心,所以以往要用记忆体来练兵,因为记忆体制程比较简单,里面记忆单元都一样可以快速复制,可以快速提升良率,经过几年的追赶,龙头大厂技术能力提高,加上制程研发速度进展快速,目前已经不需要再用记忆体练兵,有足够信心直接导入逻辑产品。