日本风险企业 Novel Crystal Technology 公司(总部:埼玉县狭山市)将于 2015 年 10 月开始销售新一代功率半导体材料之一——氧化镓的外延晶圆(β型 Ga2O3)。这款晶圆是日本信息通信研究机构(NICT)、日本东京农工大学和田村制作所等共同研究的成果。Novel Crystal Technology 公司是从田村制作所分离出来的风险企业,定位于“NICT 技术转移企业”。该公司的目标是 2016 年度实现销售额 6000 万日元,2020 年度实现销售额 7 亿日元,2025 年度实现销售额 80 亿日元。

与作为新一代功率半导体材料推进开发的 SiC(碳化硅)及 GaN(氮化镓)相比,氧化镓可以低成本制造高耐压、低损耗的功率半导体元件(以下简称功率元件),因此颇受关注。

功率器件用的外延晶圆需要具备两个条件,一是外延层表面的平坦性,二是控制低载流子浓度区域的浓度。此次采用了使用臭氧的“臭氧 MBE 法”成膜法。优化了结晶面的方位、掺杂剂的种类、生长温度、原料供应量等生长参数。能够实现 1nm 以下的表面粗糙度,并可获得 1016/cm3 载流子浓度区域。现已确认利用此次的外延晶圆,可以制造肖特基二极管(SBD)和晶体管。