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物联网、云存储推动了数据的急剧增长，预计数据量每两年就会翻一番，到 2020 年会达到 44TB。从超低功耗微控制器到大型数据中心的连接器件，存储器无处不在，相对于老式的磁盘存储器，闪存提供了更好的读写性能，采用闪存的固态硬盘发展势头加速，是由于它没有机械运动固件，尺寸更小且速度更快。为了满足市场需求，闪存制造商不得不通过缩小存储单元的尺寸，让每个存储单元获得更大的存储容量，问题在于少量的电子被用来存储信息，这使得读写不发生错误的难度越来越大，随着闪存存储单元尺寸的逐步缩小，器件的性能和可靠性变得越来越差，寿命会越来越短。当闪存退出主流，谁会成为其在存储领域的替代者？
与非网记者受邀参加了 Crossbar 公司的新品发布会，他们研发了一种全新的存储器技术，被称为电阻型随机存储器（RRAM）。Crossbar 公司首席执行官 George Minassian 博士介绍，“我们开发了一种可持续的方法，通过在存储单元中形成可移除纳米级导电细丝，用于改变并测量介质材料的电阻，随着 RRAM 存储单元尺寸的逐步缩小，器件的性能和可靠性能够得以保持，由于导电细丝的宽度仅仅几个纳米，因此 RRAM 能够满足对小尺寸高密度存储器的不断增长的需求，其特点是它可以由任何半导体工厂低成本制造。”
Crossbar 公司首席执行官 George Minassian 博士（左三），卢伟博士（左二）
这项技术由 Crossbar 的首席科学家和联合创始人卢伟博士研发，其拥有清华大学物理学士学位，以及德克萨斯州莱斯大学物理学博士学位。卢博士在 RRAM 领域积累了十二年的研究经验，他先作为哈佛大学的博士后研究员，然后被任命为密歇根大学教授从事这项研究。他是纳米结构和设备行业的领先专家，包括基于双端电阻开关设 备的高密度内存和逻辑系统、神经元电路、半导体纳米线设备和低维系统中的电子输运。
既然是革命性的存储技术，自然有着超凡的优势，究竟具有哪些优异的特点，不妨从参数来看。George Minassian 指出，“RRAM 提供用于 MCU、SoC 和 FPGA 的低迟滞、高性能、低功耗嵌入式存储器，面向低功耗和安全的物联网、可穿戴和平板电脑、消费电子、工业和汽车电子市场。Crossbar 技术能够实现极高密度的存储解决方案，包括：在单芯片上实现太字节（terabyte）存储；比 DRAM 高 40 倍的密度，并具备最高的性能和可靠性；100 倍更快的读取速度；比 NAND 快 1,000 倍的写入速度；比 NAND 高 1,000 倍的耐久性；支持高温环境，可用于数据中心和移动设备。”按照以上的参数计算，以后数据中心在同等容量的需求下可以瘦身不少。
相信很多人和笔者有着同样的疑问，半导体巨头都在美国硅谷诞生，一般先进的技术都是从美国开始流行起来，而 Crossbar 为什么将其具有革命性的存储技术到中国来进行发布？George Minassian 博士解释，“预计到 2018 年，全球市场对非易失性内训的需求将达到 600 亿美元，中国市场占到三分之一，大概 200 亿美金，这是一个很大的市场。而且中国是电子行业发展最快的市场，亦是绝大多数产品的制造基地。我们近期与中芯国际已达成合作，将我们的嵌入式技术用于中芯国际 40nm 甚至更高工艺，有望使新的应用开发受益。”由此可见，是中国巨大的应用市场以及中国成熟的消费电子产业链吸引了 Crossbar 的目光。
RRAM 技术无疑非常优秀，有着巨大的市场前景，但是闪存公司也在努力研发克服目前劣势的解决方案，希望尽早见到 RRAM 技术产品面世。
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