曾经差点被卖掉,武汉新芯怎样从矮矬穷秒变高富帅

2016-04-22 13:56:38 来源:EEFOCUS
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本期《中国芯势力》,与非网小编梳理了国内迅速崛起的晶圆代工新星武汉新芯的发展史,看这家曾经几乎运转不下去的代工厂,是怎么华丽转身成为未来国内存储器战略的关键和核心生产基地的。

 

武汉新芯成立于2006年,是湖北省与武汉市的重大战略投资项目,成立之初,原计划主打生产动态存储器(DRAM),孰料遭遇全球DRAM市场的价格崩盘,利润一再下滑。在此背景下,武汉新芯被迫将产品线转向闪存。2008年9月,武汉新芯牵手Spansion半导体。Spansion向中芯国际转移65nm、43nm相关生产工艺及技术,武汉新芯则作为Spansion半导体的重要生产基地,为其提供NAND存储器产品代工,2008年其12寸产线正式完工并开始投片。


管理权几次变更,武汉新芯命运多舛
武汉新芯的发展大致可以分为三个阶段,2006~2011,2011~2013以及2013年至今。这三个阶段的划分是围绕武汉新芯的管理权的变更展开的。

 

 

其中2006~2011年刚成立的这5年,武汉新芯采取的是政府投入,企业代管的模式,即中芯国际是武汉新芯的实际管理者,但因为这一阶段中芯国际自身正陷于跟台积电的诉讼纠纷以及由此引发的管理层变动而分身乏术,导致武汉新芯一直疏于管理而运营状况每况愈下,加之存储器重要客户Spansion遭遇经济危机濒临破产,让武汉新芯订单几近于无,到了2010年甚至要寻求买家打算卖掉的地步,而这一期间,台积电、美光和豪威半导体都曾就收购和入股和武汉新芯进行过接触。最后因为国内业界的呼吁和政府的重视而中断合资计划。

 

在2011年,武汉市政府和中芯国际重新达成协议,双方将成立一家合资公司即“中芯国际集成电路制造(武汉)有限公司”,中芯将投资10亿美 元,持股66.66%;湖北科技以新芯所有资本作价,外加2.26亿美元,合计5亿美元,持股33.34%。中芯承诺未来会追加投资,2013年底,总投 资或达45亿美元。从此开始了武汉新芯和中芯国际成为姊妹公司的阶段,然而在武汉政府和中芯国际达成协议的时候就有业内人士对中芯国际的支付能力提出质疑,彼时中芯国际本身的营收状况根本不足以完成对武汉新芯的注资。到2012年武汉新芯实现销售收入1.62亿美元,但仍旧处于亏损状态。据悉,当时武汉新芯的月产能在12000片左右,而其盈亏平衡点大约在月产能 30000片左右,显然差距不小。

 

发展到2013年,原中芯国际COO杨士宁博士从中芯国际正式离职加入武汉新芯任CEO,武汉新芯英文名XMC正式诞生,从此开始了武汉新芯发展的第三阶段,即从中芯国际完全独立出来,也是从这以后,武汉新芯的运营才开始逐渐走出亏损的窘境,步入正轨。

 

而纵观武汉新芯的发展历史,跟几个名字分不开--Spansion、豪威半导体、中芯国际、兆易创新。


Spansion一直是武汉新芯在存储工艺技术上的合作方,豪威半导体在2010年入股武汉新芯未果后成为其重要的图像传感器工艺技术合作方,中芯国际和武汉新芯之间的纠葛就复杂一些了,分分合合恩恩怨怨恕与非网小编也看不清楚,兆易创新在2013年以后成为武汉新芯重要的客户,到2014年,由武汉新芯为兆易创新代工的闪存芯片出货量已经超过10万片。


技术层面,在 2014 年中,武汉新芯成功将NAND技术由55nm推向32nm(与Spansion 合作),至2014年底,武汉新芯与存储器领域的世界级研发团队Spansion(已并入 Cypress)组建联合研发团队,开始3D NAND专案的研发工作。2015年5月11日武汉新芯宣布其项目研发取得突破性进展,第一个储存测试芯片通过存储器功能的电学验证,虽然目前并未有相关细节流出,但此合作案目标将是在2017年量产出规格为32层的堆叠4x nm的3D NAND。

 

大基金来助,看武汉新芯的外援有多强  
国内于2014年 10月宣布国家集成电路产业投资基金(简称为大基金)成立,进军DRAM领域成为我国半导体计划的第一步。在经过六大地方政府竞逐DRAM生产基地后,由工信部电子信息司司长丁文武所主导的半导体小组,属意武汉新芯成为中国DRAM产业发展计划的首要重点区域。

 

除了大基金外,中芯国际、湖北省科技投资集团、湖北基金、华芯投资等都会投资,远期计划要募集到240亿美元的规模,长期产能目标达每月30万片,正式展开中国DRAM产业发展的计划;未来武汉新芯将汇集DRAM、3D NAND与NOR三大技术成为未来中国重要的存储器芯片产业基地。

 

武汉新芯目前有一座12寸晶圆厂运作中,2015年年初正式与 Spansion合作,展开3D NAND的技术开发。从目前工厂规模来看,武汉新芯一厂投片已接近饱和,倘若再加上DRAM产能,兴建另一座12寸晶圆厂势在必行。而就在今年3月28日,武汉新芯举行了旗下首座12寸DRAM厂建厂动工仪式。这是继紫光集团进军集成电路领域、酝酿收购多家国际大厂之后,国内集成电路领域又一次大动作布局。此12寸DRAM厂建厂,是国内首度凭藉自有资金的存储器芯片建厂案,目标在2030年成为月产能100万片的半导体巨人,牵动全球存储器板块移动,业界高度关注 。


与非网小编了解到,武汉新芯稍早也曾争取与三星、SK海力士及美光等大厂技术合作,但未获三大厂同意,武汉新芯因而改采自主研发与盖厂方式进行。

 

 

 

 
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