三星电子和英特尔将大幅拓展晶圆代工事业领域。过去掌握晶圆代工市场的台积电、格罗方德等单纯晶圆代工业者,和三星、英特尔等综合半导体企业(IDM)凭借各自的优势,形成竞争版图。
  

据韩国朝鲜日报报导,三星在大陆上海举办三星晶圆代工论坛(Samsung Foundry Forum),以海思半导体、展讯、联发科等 IC 设计业者为对象进行技术说明会。
  

三星大陆负责人崔哲(音译)在 100 多名业界与会人士面前公开三星最尖端的 10 纳米、14 纳米制程,并介绍 8 寸制程等可提升成本效益。
  

韩国业界认为,三星将以本次活动为起点,积极在大陆确保晶圆代工客户。三星自数年前开始逐渐降低对最大客户苹果(Apple)的依赖,为吸引新客户,扶植晶圆代工技术。2014 年三星也与意法半导体(ST)合作,开始研发 28 纳米完全空乏式(depletion-type)绝缘上覆矽(FD-SOI)技术。
  

FD-SOI 制程是在矽晶圆上制造轻薄绝缘氧化膜,再形成平面型电晶体电极的半导体制程。因外泄电流量少,用电效率最高提升近 2 倍,且可大幅缩减生产成本。2015 年 3 月三星完成 FD-SOI 产品测试阶段,目前也完成商用化生产准备。
  

韩国半导体业界人士表示,移动应用处理器(AP)等高集成芯片一般会使用传统 3D FinFET 制成,结合类比电路的无线通讯(RF)芯片等,仍最适用 FD-SOI 制程。三星为生产处理器之外的芯片,一定会使用 FD-SOI 制程。
  

全球半导体龙头英特尔也宣布在晶圆代工市场上拓展领域。韩国业界先前预测英特尔 2011 年进军晶圆代工市场,而英特尔也透过与乐金电子(LG )、展讯、拓朗半导体(Altera)等大客户合作,正式跨足市场。近来英特尔获得 ARM 设计授权,2017 年下半将运用 10 纳米制程,生产乐金手机 AP 产品。
  

三星、英特尔等 IDM 大厂加强对晶圆代工市场攻略的理由,是因相关市场获利性将持续成长。半导体微细制程转换逐渐进入瓶颈,IC 设计业者委托生产具一定水准的芯片的成本也逐渐攀升。
  

有资料显示,2016 年半导体整体市场将出现 2%负成长,但晶圆代工领域的成长率预估有 9%。
  

另一方面,台积电独吞逾 5 成市占率的晶圆代工市场版图,是否会因三星和英特尔的攻势出现变化,受到市场关注。
  

韩国业界认为在生产效益方面,台积电、格罗方德等专门晶圆代工业者握有优势,但在微细制程、封装等高难度制程方面,三星和英特尔则较为领先。