Intel 宣布投资 70 亿美元升级 Fab 42 工厂,3-4 年后准备生产 7nm 工艺,拉开了下下代半导体工艺竞争的帷幕。三星、TSMC 日前也在 ISSCC 会议上公布了自家的 7nm 工艺进展,TSMC 展示了 7nm HKMG FinFET 工艺的 256Mb SRAM 芯片,核心面只有 16nm 工艺的 34%,而且良率很好,而三星展示的 7nm SRAM 芯片只有 8Mb,更多的是研究性质,他们要等 EUV 光刻工艺成熟。

 

在 ISSCC 国际固态电路会议上,各大半导体公司都公布了自家半导体技术的进展,AMD 昨天提到的 Ryzen 处理器的核心面积就是在 ISSCC 会议上公布的,EEtimes 现在又报道了 TSMC 和三星的 7nm 工艺进展情况。

 

 

 

TSMC 的 7nm 256MB SRAM 芯片

TSMC 虽然在 16nm FinFET 上吃过亏,不过他们在 10nm、7nm 工艺上野心勃勃,今年上半年将使用 10nm 工艺为苹果量产 A11 处理器,这次公布的 7nm 工艺进展看起来也很顺利。TSMC 公开了 7nm 工艺制造的 256Mb SRAM 芯片,位单元面积只有 0.027um2,7 层金属层工艺,整个核心面积也只有 42mm2。根据 TSMC 存储业务部门的高管 Jonathan Chang 所说,TSMC 的 7nm 工艺核心面积只有 16nm 工艺的 0.34 倍。

 

只有良率问题,TSMC 在论文中表示 7nm 工艺良率很“健康”(healthy),听上去很有信心。

 

 

三星展示的 8Mb SRAM 芯片

与此同时,三星也公开了 7nm 工艺的部分信息,不过他们介绍的 SRAM 芯片容量只有 8Mb,更像是研究而非开发性质。三星同时针对现有设备及 EUV 工艺开发了两种修复工艺,显然 EUV 工艺的会更好,不过修复处理并不是半导体制造的必须过程,三星只是验证 EUV 工艺可以做到什么。

 

根据三星去年公布的消息,他们在 7nm 工艺上是想等到 EUV 工艺成熟,业界分析认为 EUV 工艺在 2020 年才会达到量产水平。

 

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