2 月 10 日,英特尔在投资者会议上正式发布了第 8 代酷睿处理器,将于今年下半年亮相。遗憾的是,第 8 代酷睿处理器并没有采用传闻中的 10nm 工艺,而是依旧沿用 14nm 工艺,英特尔称之为“Advancing Moore‘s Law on 14 nm”。虽然采用的仍然是老工艺,但是英特尔表示,第 8 代酷睿的性能将比 Kaby Lake 提升 15%。

  

据悉,数据中心所用的 Xeon 高端多核处理器将首批用上下一代制程,也就是 10nm。另外在 1 月初的 CES 2017 上,CEO 柯再奇曾表示,搭载 10nm 芯片笔记本产品会在今年底出货。

  

 

虽然三星、台积电都已经研发出 14nm 工艺,并且成功量产。但是英特尔表示自己的 14nm 工艺和竞争对手的 10nm 工艺同样优秀,领先对手整整三年。


  

 

根据英特尔在投资者会议上公开的 PPT,其 2014 年研发出来的第一代 14nm FinFET(即 Broadwell 所用)和三星以及台积电的 10nm 工艺看齐。

  

此外,根据英特尔高级院士 Mark Bohr 的说法,英特尔 10nm 工艺的栅极间距是 54nm,是同时代 10nm 最强。

  

据悉,Intel 10nm Cannon Lake 的性能提升在 50%以上。如果传言属实,那么英特尔的 10nm 是否能够对标三星和台积电的 7nm 工艺呢?

 

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