中国四大主要集成电路产业聚落持续扩大对晶圆厂的投资布局,预估新厂产能将于 2018 年底陆续开出。拓墣产业研究院认为,2018 年底中国厂商的 12 寸晶圆每月总产能将达 36.2 万片,为现有产能的 1.8 倍,届时中国厂商产能占全球 12 吋晶圆产能比重将上升至 6.3%。

在非存储器(晶圆代工/IDM) 12 吋晶圆产能部分,主要有 4 家中国厂释出新增产能的讯息。

(1)中芯于上海规划新增月产能 7 万片的 14~7nm 产能,深圳新增 4 万片的 65~55nm 产能。

(2)华力微于上海规划新增 4 万片的 28~14nm 产能。

(3)德科玛在淮安规划 2 万片 CIS 产能。

(4)紫光规划于成都兴建 12 寸厂。

由于自 28nm 制程开始,晶圆厂须采用难度较高的多重曝光技术(Multiple Patterning),是先进制程的基础,连带牵动先进制程(28nm 以下)的发展进度,2016 年底中芯 28nm 营收占比仅有 3.5%,显示其制程良率的控制能力稳定性仍不足,将影响 28nm 以下制程进度,2018 年底中芯 14nm 很可能处于试产状态。

而华力微新厂于 2016 年底动土,因此即使发展顺利,也要 2018 下半年才有机会进入试产。而紫光虽释出兴建 12 寸厂讯息,但未有详细动工时间,估计 2018 年尚不会有产能释出。

 

 


因此 2018 年中国企业规划的新增产能将可能难以达成,预期下修至 7.2 万片,其中中国厂商的先进制程(28nm 含以下)产能约 1.2 万片,占新增产能近 17%,估计 2018 年中国自主非存储器产能将占全球非存储器产能比重约 6.7%。

存储器部分,共计 4 座新厂进行投产。

(1)晋华以 25nm 制程为目标规划 12 万片 DRAM 产能。

(2)长鑫科技于合肥规划月产能达 12.5 万片存储器芯片产能。

(3)长江存储于武汉规划新建 3D NAND 晶圆厂,预计于 2020 年达到月产能 30 万片。

(4)紫光则释出将于南京建立月产能 10 万片的晶圆厂,主要生产存储器芯片。

从晶圆厂动土到进行试产一般约 18 个月,实际量产时间则是各企业的技术能力及量产经验而定,除了紫光尚未释出实际建厂进度外,晋华于 2016 年底开始动土,2018 下半年才有机会进行试产,此外 25nm 需用双重曝光技术(Double Patterning)及浸润式曝光机(ArF-immersion),制程难度大幅提升,将影响实际产能开出的进度。

而长鑫的新厂动土时间规划于 2017 下半年开始,估计 2018 年底尚不会有产能开出。

长江存储则正规划发展 32 层垂直堆叠的 3D-NAND,预计 2018 年底将可问世,预计总产能将达到约 5 万片。

因此 2018 年中国厂商规划的新增产能或将难以达成,预期下修至 9 万片,估计 2018 年中国自主存储器产能将占全球存储器产能比重约 4.4%。

 

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