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被台积电10nm工艺“坑”了,联发科海思准备拥抱12nm FinFET?

2017/03/20
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台积电当下的 10nm 工艺苦陷良率较低的难题,导致联发科的 helio X30 未能如期上市,在这个当口其推出了 16nm FinFET 的改进版 12nm FinFET 工艺,这应该是华为海思和联发科的更好选择。

台积电目前依然在对 10nm 工艺进行改进,并用于生产苹果的 A10X 处理器,到了三季度该工艺又将用于生产苹果的 A11 处理器,在这样的情况下其 10nm 工艺的产能紧张状况将至少延续到今年三季度,而且由于其向来优先照顾苹果的传统能分给华为海思和联发科的产能必然会相当有限。

台积电的 12nm FinFET 在当前的 16nm FinFET 工艺上改进而来,拥有更高的晶体管密度和更低的功耗,在当前 10nm 工艺良率低下的情况下,12nm FinFET 工艺可以帮助它吸引客户。

华为海思将在今年 10 月 -11 月之间发布新款的高端芯片,估计命名为麒麟 970,如果其选择台积电的 10nm 工艺的话由于台积电的 10nm 工艺产能紧张就有可能重演 2015 年的麒麟 950 延迟量产的覆辙,在这样的情况下选择台积电的 12nm 工艺将是不错的选择。

去年华为海思就选择了稳妥的办法,采用台积电成熟的 16nm FinFET 工艺生产其新款高端芯片麒麟 960,按计划推出了这款芯片。联发科则希望率先采用台积电的 10nm 工艺,通过采用更先进的工艺获得更低的功耗和更高的性能以与高通竞争,结果就是当下的尴尬局面,受制于台积电的 10nm 量产进程和良率问题 helio X30 迟迟未能上市,联发科的另一款芯片 P35 同样因台积电的 10nm 工艺量产影响,让中国手机企业失去了耐心,纷纷放弃采用其芯片。

在 helio X30 和 P35 失去了中国手机企业支持的情况下,联发科推新款芯片就势在必行,但是在台积电的 10nm 工艺产能紧张的情况下,采用 12nm FinFET 工艺可以确保其新款芯片的上市。

另一个是 12nm FinFET 工艺是在 16nm FinFET 上改进而来,工艺更成熟,良率高,成本自然更低,联发科的毛利已创下新低;华为海思的芯片主要是自家使用,规模较小,同样需要控制成本,在这样的情况下采用成本较 10nm 工艺更低的 12nm 对它们来说也是十分合适的。

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