中芯长电、高通(Qualcomm)15 日共同宣布,10 纳米硅晶圆超高密度凸块加工进入认证。这也标志着通过认证后,中芯长电将成为大陆首家跨入 10 纳米先进制程技术节点产业链的半导体企业。同时,中芯长电二期 J2A 厂房工程 15 日正式举行奠基仪式,及时为扩充先进制程产能做好充足准备。


根据研究机构 Yole Development 在 2017 年 5 月发布的《先进封装产业现状 -2017 版》报告指出,2016~2022 年期间,先进封装产业总体营收的复合年成长率(CAGR)预计可达 7%。在先进封装晶圆市占方面,长电科技则名列全球第三大封测企业。


中芯长电也积极布局迈入先进制程加工。今年 7 月已开始 14 纳米高密度凸块加工,成为大陆首家进入 14 纳米积体电路产业链的硅晶圆加工企业。而随着运营规模快速提升,月硅晶圆加工量已突破过万片;15 日,又紧接着宣布与高通开始 10 纳米超高密度凸块加工的认证,标志着中芯长电迈入下一世代先进制程已达到国际客户技术能力的认可。


高通全球营运资深副总裁陈若文表示,先前中芯长电在 28 纳米、14 纳米硅晶圆凸块加工大规模量产方面取得突出成绩。此次,10 纳米超高密度凸块加工开始认证,表明中芯长电在中段凸块加工领域取得突破性进展。未来,10 纳米凸块加工将进一步强化与大陆半导体企业的合作布局。


中芯长电 CEO 崔东则坦言,投入 10 纳米这样的先进制程起步确实压力很大、门槛很高,但最终能实现高效、高品质、大规模的量产,并成功地在大陆领先建立了 12 吋凸块加工生产线。


此外,为扩充产能规模,中芯长电 15 日也举行二期 J2A 厂房工程奠基仪式。中芯长电表示,一期营运所使用的生产厂房为租赁长电科技厂房改造而成;二期项目由中芯长电公司自建,项目占地共 273 亩,将建设三个先进的硅片加工厂,从事先进的中段硅片和 3D 系统集成芯片研发和制造。


而本次举行奠基仪式的是二期专案规划三座厂房中第一座的 J2A 厂房项目。项目占地面积总共近 18,000 平方公尺,建筑面积超过 62,000 平方公尺。二期项目建设,将确保公司有条件及时扩大产能规模,并及时抓住先进制程技术节点、先进硅晶圆级封装的市场需求。 

 

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