力晶科技成功转型晶圆代工厂,5 年来共赚进新台币 485 亿元,平均一年赚 97 亿元。
 
力晶过去主要生产动态随机存取记忆体(DRAM),在经历 2007 年与 2011 年 DRAM 产业 2 次景气寒冬,力晶因财务危机,面临股票下柜窘境。
 
为求转机,力晶转型晶圆代工厂,除为记忆体模组厂金士顿与记忆体设计厂晶豪科代工生产记忆体,在面板驱动 IC、管理芯片及影像感测芯片代工领域也有不错成果。
 
力晶自 2013 年营运转亏为盈以来,已连续 5 年获利,去年归属母公司净利 80.8 亿元,每股纯益 3.54 元,为国内获利第 2 高的晶圆代工厂;力晶 5 年来共获利 485 亿元,平均一年赚 97 亿元。
 
力晶继去年恢复配发股利后,今年预计每股配发 1.2 元现金股息及 0.5 元股票股利。
 
随着与金士顿委托代工合约期满,力晶自金士顿买回设备,带动今年来业绩稳健成长,前 2 月营收 87.42 亿元,年增 19.79%,法人预期,力晶今年营运应可更上层楼。
 
DRAM 厂到晶圆厂的转型
力晶于 1994 年十二月创立于新竹科学园区,早期专注于动态随机存取记忆体之生产,逐步扩及及晶圆代工及 Flash 生产,并以大陆终端客户为主要营收来源。公司自 2010 年 9 月 14 日起,减资暨更名为「力晶科技股份有限公司」,代码简称:5346 力晶。2012 年 12 月 11 日因净值转为负数,自柜买中心下柜,股票停止买卖。
 
公司在生产动态随机存取记忆体制程技术以三菱电机既有的技术为基础,与日本的 DRAM 大厂 Elpida 缔结策略联盟,共同研发尖端 DRAM 技术。公司也和 Renesas 等国际大厂合作,开发生产高容量快闪记忆体(Data Flash),以期成为国内最大之全方位记忆体公司。在逻辑代工制程技术方面,自日本三菱公司引进 0.25 微米/0.18 微米/0.15 微米逻辑代工制程技术,并建立相关制程的设计资料库及 IP,以及开发 Mixed-mode 、CIS 等产品,以协助客户顺利量产新世代产品。代工业务主要为转投资的 8 吋厂巨晶电子。公司成立初始即锁定日本三菱为策略合作伙伴,不断引进日方技术提升制程能力,已成为国内最大动态随机存取记忆体厂商。
 
力晶 2008 年第二季将产能全数转换为 70nm 制程,65nm 制程于第三季进入量产。
 
2009 年获金士顿及力成金援 1.25 亿美元,以等值瑞晶股票作扺押,以解决财务缺口压力。
 
2009 年主流制程为 65 纳米制程,虽持续进行制程微缩,但在 2010 年,仍无法负担制程转换的成本,因此生产成本与竞争对手差距仍大。
 
2009 年底净值约 3 元。
 
2011 年 4 月,与 Elpida 达成的 DRAM 产销新协议,使公司的专利授权、技转费用降低,并无偿取得 Mobile DRAM 技术及销售权,结合自行开发的 NAND 快闪记忆体技术,将针对高速成长的行动应用(Mobile Applications)新市场,提供完整的记忆体产品组合。
 
力晶积极转型为晶圆代工厂,以及加重行动型记忆体、快闪记忆体及代工业务营收,降低标准 DRAM。
 
截至 2011 年 11 月产品比重方面,晶圆代工占 60%、DRAM 占 30%、Nand Flash 占 10%。晶圆代工领域包括 LCD 驱动 IC、CMOS Sensor、类比 IC、电源管理 IC。
 
P3 厂成为 Flash 与 DRAM 共同生产的 12 吋厂,月产能约 11 万片。自 2012 年 1 月 1 日起,NAND Flash 的投片量将正式超越 DRAM,且 DRAM 投片产能将永远性的降低至 20%以下,约当 2 万片。
 
DRAM 制程方面,2012 年将全部由 40 纳米转换至 30 纳米,且均生产 4G 产品。
 
产能配置方面,至 2012 年 1 月晶圆代工每月投片量拉升至 6 万片,标准型 DRAM 投片约 2 万片,Nand Flash 约 6000 千片。
 
2012 年资本支出约 20 亿元至 30 亿元。
 
2013 年四月,力晶 P3 厂约月产能 2 万片 12 吋厂设备及生产线由金士顿标下,并由力晶代工。
 
2014 年 6 月,转投资 LCD 驱动 IC 厂瑞力被 Synaptics 并购,力晶出售所有持股后,预期获利约 36 亿元,且与 Synaptics 达成协议维持合作关系,Synaptics 在整合 LCD 驱动 IC 及触控 IC 的单芯片,将交由力晶生产。
 
另外,公司规划每股净值回升至 10 以上,且还清银行负债后,再重新挂牌上。