关键型 IFF 和航空电子应用的信号完整性和范围得到大幅提升
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo, Inc. 今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)RF 晶体管 --- QPD1025。QPD1025 在 65 V 下运行 1.8KW,提供出色的信号完整性和更大的范围,这对 L 频段航空电子应用来说至关重要。
 
Strategy Analytics 公司的战略技术实践执行总监 Asif Anwar 表示,“Qorvo 的 QPD1025 晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基 LDMOS 和硅双极器件相比,它不仅具备相同的脉冲功率和占空比性能,在效率上还有了显著提升。Qorvo 推出的这款高功率和高效率解决方案,在热管理工艺流程中无需采用金刚石等耐高温材料,具备极高的高性价比。”
 
Qorvo 高功率解决方案部总经理 Roger Hall 表示,“这款新型高功率晶体管无需结合放大器的复杂操作便可实现数千瓦的解决方案,能够大幅节省客户的时间和成本。与 LDMOS 相比,QPD1025 的漏极效率有了显著提升,效率高出近 15 个百分点,这对 IFF 和航空电子应用来说都非常重要。”
 
Qorvo 提供业内种类最多、最具创意的 GaN-on-SiC 产品组合。Qorvo 产品具有高功率密度、小尺寸、增益出色、高可靠性和工艺成熟的特点,早在 2000 年就开始批量生产。有关 Qorvo 的 GaN-on-SiC 产品优势的更多信息,请参见这里和观看视频。
 
QPD1025 的工程样品​​现已上市。