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陶瓷电容器的由来
1900 年意大利 L. 隆巴迪发明陶瓷介质电容器。30 年代末人们发现在陶瓷中添加钛酸盐可使介电常数成倍增长,因而制造出较便宜的瓷介质电容器。
 
1940 年前后人们发现了现在的陶瓷电容器的主要原材料 BaTiO3(钛酸钡)具有绝缘性后,开始将陶瓷电容器使用于对既小型、精度要求又极高的军事用电子设备当中。而陶瓷叠片电容器于 1960 年左右作为商品开始开发。到了 1970 年,随着混合 IC、计算机、以及便携电子设备的进步也随之迅速的发展起来,成为电子设备中不可缺少的零部件。现在的陶瓷介质电容器的全部数量约占电容器市场的 70%左右。
 
陶瓷介质电容器的绝缘体材料主要使用陶瓷,其基本构造是将陶瓷和内部电极交相重叠。陶瓷材料有几个种类。自从考虑电子产品无害化特别是无铅化后,高介电系数的 PB(铅)退出陶瓷电容器领域,现在主要使用 TiO2(二氧化钛)、BaTiO3,CaZrO3(锆酸钙)等。和其它的电容器相比具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价格低等优点。
 
由于原材料丰富,结构简单,价格低廉,而且电容量范围较宽(一般有几个 PF 到上百μF),损耗较小,电容量温度系数可根据要求在很大范围内调整。
 
陶瓷电容器品种繁多,外形尺寸相差甚大从 0402(约 1×0.5mm)封装的贴片电容器到大型的功率陶瓷电容器。按使用的介质材料特性可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器;按无功功率大小可分为低功率、高功率陶瓷电容器;按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器;按结构形状可分为圆片形、管型、鼓形、瓶形、筒形、板形、叠片、独石、块状、支柱式、穿心式等。
 
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陶瓷电容器的分类
陶瓷电容器从介质类型主要可以分为两类,即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器。
 
Ⅰ类陶瓷电容器(ClassⅠceramiccapacitor),过去称高频陶瓷电容器(High-freqencyceramiccapacitor),是指用介质损耗小、绝缘电阻高、介电常数随温度呈线性变化的陶瓷介质制造的电容器。它特别适用于谐振回路,以及其它要求损耗小和电容量稳定的电路,或用于温度补偿。
 
Ⅱ类陶瓷电容器(ClassⅡceramiccapacitor)过去称为为低频陶瓷电容器(Lowfrequencycermiccapacitor),指用铁电陶瓷作介质的电容器,因此也称铁电陶瓷电容器。这类电容器的比电容大,电容量随温度呈非线性变化,损耗较大,常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗和电容量稳定性要求不高的电路中。
 
Ⅰ类陶瓷电容器
按美国电工协会(EIA)标准为 C0G(是数字 0,不是字母 O,有些文献笔误为 COG)或 NP0(是数字 0,不是字母 O,有些文献笔误为 NPO)以及我国标准的 CC 系列等型号的陶瓷介质(温度系数为 0±30PPM/℃),这种介质极其稳定,温度系数极低,而且不会出现老化现象,损耗因数不受电压、频率、温度和时间的影响,介电系数可以达到 400,介电强度相对高。这种介质非常适用于高频(特别是工业高频感应加热的高频功率振荡、高频无线发射等应用的高频功率电容器)、超高频和对电容量、稳定性有严格要求定时、振荡电路的工作环境,这种介质电容器唯一的缺点是电容量不能做得很大(由于介电系数相对小),通常 1206 表面贴装 C0G 介质电容器的电容量从 0.5PF~0.01μF。
 
Ⅱ类陶瓷电容器
Ⅱ类的稳定级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的 X7R、X5R 以及我国标准的 CT 系列等型号的陶瓷介质(温度系数为±15.0%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到 1200),因而电容量可以做得比较大,适用于对工作环境温度要求较高(X7R:-55~+125℃)的耦合、旁路和滤波。通常 1206 的 SMD 封装的电容量可以达到 10μF 或在再高一些;
 
II 类的可用级陶瓷介质材料如美国电工协会(EIA)标准的 Z5U、Y5V 以及我国标准的 CT 系列的低档产品型号等陶瓷介质(温度系数为 Z5U 的+22%,-56%和 Y5V 的+22%,-82%),这种介质的介电系数随温度变化较大,不适用于定时、振荡等对温度系数要求高的场合,但由于其介电系数可以做得很大(可以达到 1000~12000),因而电容量可以做得比更大,适用于一般工作环境温度要求(-25~+85℃)的耦合、旁路和滤波。通常 1206 表面贴装 Z5U、Y5V 介质电容器量甚至可以达到 100μF,在某种意义上是取代钽电解电容器的有力竞争对手。
 
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陶瓷电容器的温度特性
应用陶瓷电容器首先要注意的就是其温度特性;
 
不同材料的陶瓷介质,其温度特性有极大的差异。
 
第一类陶瓷介质电容器的温度性质
根据美国标准 EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母 C)温度系数α的有效数字;第二位部分有效数字的倍乘(如 0 即为 100);第三部分为随温度变化的容差(以 ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。
 
 
例如,C0G(有时也称为 NP0)表示为:第一位字母 C 为温度系数的有效数字为 0,第二位数字 0 为有效温度系数的倍乘为 100=1,第三位字母 G 为随温度变化的容差为±30ppm/℃,即 0±30ppm/℃;C0H 分别表示为:第一位字母 C 为温度系数的有效数字为 0,第二位数字 0 为有效温度系数的倍乘为 100=1,第三位字母 H 为随温度变化的容差为±60ppm/℃,即 0±60ppm/℃;S2H 则分别表示为:第一位字母 S 为温度系数的有效数字为 3.3,第二位数字 2 为有效温度系数的倍乘为 102=100,第三位字母 H 为随温度变化的容差为±60ppm/℃,即-330±60ppm/℃
 
第一类陶瓷电容器的电容量几乎不随温度变化,下面以 C0G 介质为例。C0G 介质的变化量仅 0±30ppm/℃,实际上 C0G 的电容量随温度变化小于 0±30ppm/℃,大约为 0±30ppm/℃的一半
 
       
 
第二类陶瓷介质电容器的温度性质
根据美国标准 EIA-198-D,在用字母或数字表示陶瓷电容器的温度性质有三部分:第一部分为(例如字母 X)最低工作温度;第二位部分有效数字为最高工作温度;第三部分为随温度变化的容差(以 ppm/℃表示)。这三部分的字母与数字所表达的意义如表。
 
 

 

常见的Ⅱ类陶瓷电容器有:X7R、X5R、Y5V、Z5U
 
其中:X7R 表示为:第一位 X 为最低工作温度 -55℃,第二位的数字 7 位最高工作温度+125℃,第三位字母 R 为随温度变化的容值偏差±15%;
 
X5R 表示为:第一位 X 为最低工作温度 -55℃,第二位的数字 5 位最高工作温度+85℃,第三位字母 R 为随温度变化的容值偏差±15%;
 
Y5V 表示为:第一位 Y 为最低工作温度 -30℃,第二位的数字 5 位最高工作温度+85℃,第三位字母 V 为随温度变化的容值偏差+22%,-82%±15%。
 
Z5U 表示为:第一位 Z 为最低工作温度+10℃,第二位的数字 5 位最高工作温度+85℃,第三位字母 U 为随温度变化的容值偏差+22%,-56%,
 
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陶瓷电容器的阻抗频率特性
 
第一类介质的陶瓷电容器的 ESR 随频率而上升,如图
 
陶瓷电容器的 ESR 频率特性
 
第一类介质的陶瓷电容器阻抗频率特性
 
第二类陶瓷电容器的阻抗频率特性
 
陶瓷电容器的损耗因数与频率的关系
 
 
 
陶瓷电容器的阻抗频率特性
 
 
陶瓷电容器的绝缘电阻与温度的关系
 
 
损耗因数与温度的关系
 
 

 

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电容量与直流偏置电压的关系
第一类介质电容器的电容量与直流偏置电压无关。
 
第二类介质电容器的电容量随直流偏置电压变化,如图。
 
 
Y5V 介质电容器的电容量随直流偏置电压变化非常大,从无偏置时的 100%电容量下降到额定电压下的直流偏置电压时得不到额定电容量的 25%,也就是说 10μF 的电容量在额定电压时仅为不到 2.5μF!在高温时由于电容量已经下降到很低,所以这时的电容量随直流偏置电压的变化不大。
 
X7R 介质电容器的电容量随直流偏置电压变化虽比较大,但是比 Y5V 好得多。
 
陶瓷电容器所允许加载的交流电压与电流同频率的关系
 
主要受电容器的 ESR 影响;
 
相对而言,C0G 的 ESR 比较低,故可以承受比较大的电流,相应的所允许施加的交流电压相对比较大;
 
X7R、X5R、Y5V、Z5U 则 ESR 相对比较大,可承受比 C0G 要小,与此同时,由于电容量远大于 C0G,故所施加的电压将远小于 C0G。
 
第一类介质电容器的允许电压、电流与频率的关系
 
 
第一类介质电容器的允许电压、电流与频率的解读
当加载频率相对较低时,即使加载交流电压为额定交流电压时,流过电容器的电流低于额定电流时,电容器允许加载额定交流电压,即左图的平直部分;
 
当加载频率升高到即使加载电压没有达到交流额定电压时的电容器中流过的交流电流已达到额定电流值,这是需要降低电容器的加载交流电压,以保证流过电容器的电流不超过额定电流值,即左图的曲线开始下降部分;
 
而加载频率继续上升,电容器的损耗因数而导致的发热则成为电容器的加载电压的主要限制因素,这是加载电压将随频率的上升而急剧下降,即中左图的曲线急剧下降部分。
 
与加载交流电压正相反,电容器加载的交流电流在频率较低时即使电流没有达到额定电流,但电容器上的交流电压已达到其额定值,这是加载的交流电流受电容器的额定电压限制,特行为加载交流电流随频率的增加而上升,如图右图中的电流随频率增加而上升的那部分曲线。
 
当加载频率上升到即使电容器上的交流电压没达到额定电压时加载的交流电流已经达到额定电流值这时加载交流电流须保持在不高于额定电流值。入伙电容器的损耗因素造成的发热开始起比较明显的作用,则加载电流必须降额,如图的右图中电流随频率上升而下降的那部分曲线。
 
第二类介质陶瓷电容器由于电容量相对第一类介质电容器大得多,对于用于滤波的μF 级的陶瓷电容器通常的加载交流电压在 1V 以下,不可能加载到额定交流电压值。因此第二类介质电容器大多讨论所允许加载的纹波电流电流。
 
贴片陶瓷电容器的尺寸与耗散功率
 
        
 

 

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贴片电容失效原因和解决办法
贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件,生产的贴片电容来讲有 NPO、X7R、Z5U、Y5V 等不同的规格,不同的规格有不同的用途。在使用过程中我们也经常会遇到各种各样的问题,带给我们不小的影响,下面主要针对的是贴片电容失效的情形,分析其产生的原因以及对此应对的办法,希望能够帮助到大家能够更加快速有效的解决这类的问题。
 
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贴片陶瓷电容最主要的失效模式断裂
贴片陶瓷电容器作常见的失效是断裂,这是贴片陶瓷电容器自身介质的脆性决定的 . 由于贴片陶瓷电容器直接焊接在电路板上,直接承受来自于电路板的各种机械应力,而引线式陶瓷电容器则可以通过引脚吸收来自电路板的机械应力 . 因此,对于贴片陶瓷电容器来说,由于热膨胀系数不同或电路板弯曲所造成的机械应力将是贴片陶瓷电容器断裂的最主要因素 .
 
陶瓷贴片电容器的断裂陶瓷贴片电容器受到机械力后断裂的示意如下图:
 
 
陶瓷贴片电容器机械断裂后,断裂处的电极绝缘间距将低于击穿电压,会导致两个或多个电极之间的电弧放电而彻底损坏陶瓷贴片电容器,机械断裂后由于电极间放电的陶瓷贴片电容器剖面显微结构如下图:
 
 
上图是机械断裂后由于电极间放电的陶瓷贴片电容器剖面显微结构对于陶瓷贴片电容器机械断裂的防止方法主要有:尽可能的减少电路板的弯曲、减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力、减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力。
 
如何减小陶瓷贴片电容器在电路板上的应力将在下面另有行进叙述,这里不再赘述 . 减小陶瓷贴片电容器与电路板的热膨胀系数的差异而引起的机械应力可以通过选择封装尺寸小的电容器来减缓,如铝基电路板应尽可能用 1810 以下的封装,如果电容量不够可以采用多只并联的方法或采用叠片的方法解决 . 也可以采用带有引脚的封装形式的陶瓷电容器解决。