市场调研机构 IC Insights 大幅提升 2018 年全球半导体资本支出预期。在 2018 年 3 月,该机构对 2018 年全球半导体资本支出的预期是增长 8%,但根据收集到的最新数据,IC Insights 将全行业资本支出预期提升了 6 个百分点至 14%,如果预测成真,2018 年全球半导体资本支出将首次超过 1000 亿美元,仅两年时间,资本支出比 2016 年同比增幅达到 53%。
 
虽然仍未披露其 2018 年全年资本支出预算,但三星的确说过,相比 2017 年,2018 年在半导体上的资本支出要收缩。2017 年三星在半导体领域豪掷 242 亿美元,为其过去三年平均资本支出的两倍以上,也是史上单一公司资本支出最高记录,适当收缩实属正常。但从实际表现来看,三星丝毫没有显示出收缩的迹象,仍然摆出“脚踩油门”要大干一场的架势,2018 年第一季度三星半导体部门资本支出达到 67.2 亿美元,略高于过去三个季度资本支出的平均值,几乎是 2016 年一季度资本支出的两倍。从 2017 年第二季度到 2018 年第一季度,四个季度三星半导体资本支出合计达到 266 亿美元!
 
 
IC Insights 预计,2018 年三星半导体部门资本支出额在 200 亿美元左右,比 2017 年减少 42 亿美元,但从一季度数据来看,该机构认为三星半导体全年资本支出很有可能超过 200 亿美元。
 
由于存储器市场(DRAM+NAND 闪存)依然非常强势,所以 SK 海力士 2018 年资本支出预算有望提升至 115 亿美元,比 2017 年支出(81 亿美元)同比增长 42%。SK 海力士资本支出主要用于两处,一是韩国青州工厂 M15(3D NAND)投产,另一个是无锡 DRAM 工厂扩产。为了赶在景气周期赚钱,SK 海力士不断加快工期,青州工厂预计将提前至 2018 年底投产,而无锡工厂新增产线投产时间也从预定的 2019 年初,提前到 2018 年底。
 
TechSugar 注意到,在 2017 年之前,全球半导体资本支出高峰出现在 2011 年,当年资本支出为 674 亿美元。2017 年资本支出达到 900 亿美元,同比增长 34%,其中三星(242 亿美元)贡献最多,扣除三星全行业增长为 18%,因此 IC Insights 称之为“三星泡沫”。IC Insights 将 2018 年资本支出增长的原因归结为“中国效应”,近期长江存储、华力、中芯国际等纷纷搬入设备,算是一个注脚。不过不少行业人士也表示,2018 年入场的设备,多数都被计入到 2017 年营收。这一轮扩产周期制造厂商相对比较激进,未来市场能否消化释放出的产能尚待观察,从设备业角度来看,多对当前行情持谨慎乐观态度,有厂商预测 2019 年资本支出应该会有较大收缩。