昨天的 Samsung Foundry Forum 论坛上,三星直接宣布了 5/4/3nm 工艺技术。
 
其中,5nm LPE 工艺相较于 7nm LPP,会进一步缩小芯片核心面积,带来更低的功耗。
 
4nm LPE/LPP 将会成为三星最后一次在芯片上使用 FinFET 技术,进步压缩芯片面积。
 
3nm GAAE/GAAP 则采用了全新的 GAA(Gate-All-Around,环绕栅极)纳米技术,需要重新设计晶体管底层结构,克服当前技术的物理、性能极限,增强栅极控制,性能大大提升。