1. 反垄断审查三巨头 中国存储需警惕“逆周期”扩张;

2. 紫光大举投资半导体 被日本高度关注;

3. 无晶圆厂商增长强劲 新兴科技 再促半导体产业升级;

4. 国家制造业创新中心落户复旦张江校区 聚焦集成电路研发;

5. 华虹半导体现破顶 传公司冀月产 4 万芯片;

 

导读

需要指出的是,美国司法部对 DRAM 价格垄断的罚款为销售收入的 20%;而相比之下,国内近年来对诸如浙江保险等价格垄断案件处罚比例仅为销售收入的 1%。

 

因持续涨价被终端厂商投诉、历经发改委两次约谈之后,针对韩国三星、海力士,美国美光科技三大存储芯片巨头的反垄断调查终于启动。

 

2018 年 5 月 31 日,中国反垄断机构派出多个工作小组,分别对三星、海力士、美光三家公司位于北京、上海、深圳的办公室展开“突袭调查”和现场取证,标志着中国反垄断机构正式对三家企业展开立案调查。目前,三星已经公开回应称“正在协助调查”。

 

三星、海力士、美光是全球三大存储芯片巨头,在 DRAM、NAND 两大产品线中占据全球绝大多数市场份额。2016,因行业技术更迭、企业生产线换代,全球存储芯片市场出现近年来罕见的供不应求,并于 2016 年 Q3 全面进入涨价通道。其后涨价带来的成本压力传递至手机、固态硬盘、内存条等消费级产品。

 

时至今日,多位业内人士告诉 21 世纪经济报道记者,“几大巨头产能都已经能满足市场,供求已经平衡,甚至供过于求。涨价幅度虽然比以前小了,但价格却降不下来。”至今,涨价周期已持续两年。

 

2017 年 12 月,因终端企业持续投诉,发改委关注到“DRAM 行业价格的飙升”,发改委约谈三星,并表示将会更多关注由行业“价格操纵”行为引发的问题。2018 年两会之后,发改委、商务部、工商总局的反垄断部门合并到新成立的市场监督总局反垄断局。5 月份,反垄断部门就持续涨价问题约谈美光。

 

根据海关数据,2017 年中国进口存储器 889.21 亿美元,同比 2016 年的 637.14 亿美元增长了 39.56%。存储产品的持续涨价给中国产业造成了高成本负荷。
目前,三星已经公开回应称“正在协助调查”。

 

涨价改变行业格局

2017 年,全球 DRAM、NAND 市场分别增长 74%、46%,达到 722 亿美元、538 亿美元,三星、海力士、美光三巨头成为最大的受益者。根据 IHS Markit 此前发布数据,在 DRAM 市场,三星、海力士、美光市场份额分别为 44.5%、27.9%、22.9%,三家合计占比 95.3%;在 NAND 市场,三星、海力士、美光市场份额分别为 39%、10.5%、11.3%,合计 60.8%。

 

因存储市场暴涨,全球半导体排名发生较大变化。2017 年,三星半导体业务收入暴涨 50%,以超过 600 亿美元的收入首次超越 Intel 登上全球第一的宝座。与此同时,海力士、美光也水涨船高,分别从第四名、第六名跃居第三、第四名。根据 Gartner 数据,海力士、美光收入分别增长了 79%、78%。

 

2016 年 Q1-2018 年 Q1 的涨价区间中,三星存储芯片业务收入从 79.4 万亿韩元增至 173.3 万亿韩元,增长 118%;海力士收入从 3.65 万亿韩元增至 8.72 万亿韩元,增幅 139%;而美光收入则从 29.3 亿美元增至 73.5 亿美元,增长 151%。

 

同期,三星股价从 2016 年初的 2.5 万韩元增至如今的 5 万韩元,海力士则从 3 万韩元涨至 9 万韩元,美光每股股价则从 14 美元飙升至 58 美元,涨幅 314%。

 

值得一提的是,在存储芯片疯狂涨价期间,美国一家律所开始就这一现象展开调查。在中国反垄断部门约谈、调查三巨头期间,美国律所 Hagens Berman 于 2018 年 4 月 27 日在美国加州北部地区法院向美光、三星、海力士发起反垄断集体诉讼。

 

该律所称调查显示,DRAM 制造商协商同意通过限制 DRAM 的供应来提高 DRAM 的价格。2017 年,DRAM 每比特价格上涨 47%,是 30 年来最大涨幅,其中 4GB DRAM 产品价格上涨了 130%。早在 2006 年,Hagens Berman 就曾经代理过类似 DRAM 反垄断诉讼,并为其代理人赢得了 3 亿美元和解费用。

 

在 1999-2002 年的全球互联网危机期间,三星、海力士、英飞凌、尔必达、美光 5 家 DRAM 企业曾达成价格协议,控制全球 DRAM 市场价格。当时,美国 Dell、HP、苹果、IBM 等计算机公司直接承受涨价带来的成本压力。2002 年,美国司法部开始起诉上述公司,并于 2005-2006 年间做出总计 7.29 亿美元的违法处罚以及垄断收入罚款。

 

“逆周期”杀手锏

而今天,中国企业因存储芯片涨价受到的影响远超美国当年的电脑企业。2017 年,国内所有旗舰手机普遍涨价 200-300 元,而内存条在 2017 年涨价幅度高达 300%-400%。

 

财报显示,2017 财年,美光在中国收入 103 亿美元,占其总收入 51%。海力士 2017 年在中国收入 10 万亿韩元,占其总收入 33.5%。同时,三星在中国收入 31.6 万亿韩元,占其总收入 23.3%。其中,三星中国半导体、上海三星半导体两大公司 2017 年收入总计 28.7 万亿韩元,约 253.9 亿美元。

 

2017 年,受益于存储芯片涨价,韩国向中国大陆出口机电类产品总额达到 738 亿美元,同比增长了 24.7%。

 

不过,相比于现阶段中国电子制造业承受的涨价压力,更值得关注的是接下来的中国存储

 

产业面临的全球竞争。

 

在上世纪 90 年代,日本存储芯片曾经占据全球 50%的市场份额。但是,三星通过三次“逆势扩张”成功将日本企业赶下神坛。80 年代中期、90 年代末,三星总是在 DRAM 市场下滑期间增加投资、扩充产能,不断压低行业价格、蚕食日本企业的市场份额。2008 年金融危机期间,DRAM 颗粒价格跌幅超过 80%,而此时三星却将 2007 年总利润的 118%用于 DRAM 扩产,加剧价格下跌造成行业亏损,这直接加速了日后尔必达的破产,并奠定了三星的霸主地位。

 

2015、2016 年间,三星在半导体业务投入资金分别为 14.7 万亿、13.1 万亿韩元,占总 Capex 比均超过 50%。而 2017 年,三星半导体业务资本支出飙升至 27.3 万亿韩元,约 242 亿美元。财报显示,相比于 2016 年 Q1,三星半导体在 2018 年 Q1 的产能提升了 339%。
目前,已经有多家分析机构预测 DARM、NAND 市场将供过于求。而此时,海力士预计 2018 年资本开支 115 亿美元。虽然三星并未公布 2018 年资本计划,但其 Q1 资本开支仍然保持上涨趋势。

 

形势与此前三星的几次逆势扩张相似。这对中国的 NAND、DRAM 产业而言并不乐观,这意味着,当中国两座 DRAM、一座 NAND 工厂在进入规模量产阶段之后,将直接面临严酷的价格竞争。显然,在 2017 年赚足了涨价利润的国际巨头,对价格战的承受能力远超中国企业。

 

而除了价格战之外,中国企业还可能面临诉讼战、供应控制等等竞争手段,据知情人士透露,美光科技已经与半导体设备商达成排他性协议,限制向福建晋华供应半导体设备。
 

日前,手机中国联盟秘书长老杳发文呼吁:“作为全球最大的电子产品制造基地,中国需要更强有力的市场监督机构保证公平、公正的市场竞争秩序。”

 

根据财报统计,2016、2017 年,三家公司在中国与半导体相关业务收入总计分别达到 321 亿美元、446.8 亿美元。

 

根据《反垄断法》、《反价格垄断规定》,经营者存在价格垄断行为的,按照《反垄断法》第四十六、第四十七、第四十九条进行处罚,处以上一年度销售额 1%-10%的罚款,且需要考虑违法行为的持续时间。以此计算,如果裁定三大巨头存在价格垄断行为,那么罚款额或许在 4.4 亿美元 -44 亿美元、8 亿美元 -80 亿美元之间。

 

需要指出,美国司法部对 DRAM 价格垄断的罚款为销售收入的 20%,而相比之下,国内近年来诸如浙江保险、吉林水泥等价格垄断案件中,处罚比例仅为销售收入的 1%。

 

对于毛利率高达 60%的存储芯片产业,1%的处罚相比于垄断行为带来的利润,微不足道。21 世纪经济报道 2. 紫光大举投资半导体 被日本高度关注;

 

大陆紫光集团旗下存储器厂,长江存储科技,在 2018 年 4 月 11 日举办半导体设备安装典礼,26 日公布国家主席习近平访视生产线的新闻,据日本经济新闻(Nikkei)网站报导,这显示大陆对于关键半导体产品与技术受制于外国的高度关注,但日本同样也对大陆的半导体投资抱持高度关注。 大陆关注的原因,在于长江存储这次安装的生产设备,是 3D NAND 快闪存储器生产设备,预定在 2018 年内展开 32 层 3D NAND 快闪存储器生产,这进度虽然比韩国电子巨擘三星电子(Samsung Electronics)要晚 4 年,但至少是大陆摆脱完全依赖海外厂商生产 NAND 快闪存储器的关键一步。 

 

而日本关注的原因,据日经记者在 2018 年 5 月 21 日的现场采访,3 栋工厂的首栋正在加紧赶工,每天约有 1,000 人出入,其中包括不少日本半导体设备业者,也有从美国矽谷、日本、台湾、与韩国挖角的半导体产业人才,凸显大陆的雄心,也让日本担心人才与技术外流的问题。 在紫光的计划中,长江存储武汉厂已经投资相当于 3 兆日圆(约 275 亿美元),在 2025 年以前还要进行 1,000 亿美元以上的投资,等到 2025 年,武汉厂的 3D NAND 快闪存储器产能,将达目前世界最大 NAND 快闪存储器工厂、日本东芝存储器(TMC)四日市工厂的 1.5 倍,每月 100 万片。 

 

虽然先进半导体生产不是买了设备就能马上出货,还需要不少调整改进产品良率,更何况长江存储科技引进的技术,已经落后于国际主要 NAND 快闪存储器厂商,但有规模远大于东芝存储器的投资计划,还有 10 年时间与大量挖角的人才,日本少数仍具国际竞争力的半导体产品,NAND 快闪存储器,势将危殆。 至于专利障碍问题,紫光集团现在积极透过海外购并与出资的方式,希望获得合作对象,购并美光(Micron Technology)虽为美国政府阻挡,但紫光仍与美光及英特尔(Intel)进行技术合作讨论,希望借此获得若干专利使用权,现在为回避美国与大陆的贸易战问题,动作较小,但据日经报导,仍持续推动。

 

3. 无晶圆厂商增长强劲 新兴科技 再促半导体产业升级;

近日,科技产业调研机构 Technavio 发布的一份报告显示,受新兴前沿科技需求推动,全球无晶圆(fabless)IC 市场将继续保持强劲的增速,2018 至 2022 年复合年增长率将达 7.9%。

 

上世纪 80 年代早期,典型的半导体厂商均需要自己完成包括研发 IC 设计程序、设计和制造相关设备、进行封装和测试在内的全部工作。

 

“那时,产业还未达到 1 微米制程的节点。随着产业的发展,工艺尺寸持续缩小,集成也愈发复杂,IDM 模式的成本在呈指数型增长。”市场调研机构 Strategy Analytics RF 和无线组件研究服务总监 Chris Taylor 对记者表示。

 

半导体制造业规模经济性的特征因此愈发明显,高昂的投资成本已使得众多厂商无力扩张。在此背景下,只进行硬件芯片的电路设计,设计之后再交由晶圆代工厂制造为成品,并负责销售产品的无晶圆运营模式开始兴起,垂直分工模式走向繁荣。

 

无晶圆模式增势延续

在 Taylor 看来,晶圆代工厂商台积电(TSMC)在 1987 年的成立是无晶圆模式发展的重要里程碑。Taylor 认为:“如今,对于一个半导体厂商来说,自己完成全部流程已变得不可能。即便是英特尔这样的巨头,也需部分委托于一些代工厂,且设计软件和制造设备均依赖于第三方。”

 

轻装上阵的优势促成了无晶圆厂商的繁荣。半导体行业分析机构 IC Insights 数据显示,2000 年至 2016 年间,全球无晶圆厂商增速低于 IDM 厂商的情况只在 2010 年和 2015 年出现过两次。

 

2003 年,高通(Qualcomm)凭借当年 24 亿美元的营收,成为了第一家进入全球半导体厂商 20 强的纯 IC 设计公司,无晶圆厂商正式开始在半导体产业占据重要地位。而到 2018 年第一季度,业界已有博通、高通、英伟达、苹果等 4 家无晶圆厂商营收排名进入前 15,此外,从事代工的台积电更是位列第三。

 

营收在 2017 年位列无晶圆厂商之首的高通是该模式的代表厂商之一,这一模式的成功在其身上已被证明。

 

在成立之初的 1985 年,高通公司正聚焦于蜂窝系统的发展,以及与之相应的核心标准制定。“那时,公司有基础设施部门、芯片业务部门、研发部门和手机业务部门,确实曾是一个垂直一体化的企业,这有助于我们对产业科技标准的制定。”高通公司一位发言人在采访中对 21 世纪经济报道记者表示。

 

 

不过随着该领域标准的发展,我们意识到垂直一体化已并非必要。所以,我们出售了其余部门,成为了一家更聚焦的半导体公司,同时也成为了该产业的核心基础研发引擎。”他说。

 

东亚在晶圆代工领域占据着重要地位,这也显示出了代工模式下的全球分工。据集邦咨询(TrendForce)5 月 24 日更新的数据,2018 年第一季度全球前 10 大晶圆代工厂商中,中国台湾、中国大陆、韩国三地的厂商合计占据 7 席,市占率高达 83.6%。

 

“重要的是我们所设计的产品能满足客户未来的需求,这也取决于代工厂商能够提供何种程度的帮助,保证我们的出货量,并平衡各业务部门的产能。”上述高通发言人表示,

 

“全球化的分工已是我们战略的一部分,目前来看这十分有效。”

 

不过在 2017 年,无晶圆厂商增长又一次落后于了 IDM 厂商,尽管这一年前者营收首次突破了 1000 亿美元。但 IC Insights 指出,这实际上更多源于近年存储市场的这波涨价潮——存储厂商多采用 IDM 模式。以 DRAM 为例:2017 年全球 IC 市场增速达 25%,不计 DRAM 的增速则仅为 16%。

 

集邦咨询拓墣产业研究院研究经理林建宏对记者指出,IDM 和无晶圆模式的取舍往往与厂商自身产品及规模有关,若产品的销售规模仍在高速增长,IDM 模式也能有良好的增长动能,如今的 DRAM 和 NAND 闪存均是例证。

 

前沿科技带动产业增长

Technavio 认为,随着物联网设备对互通性的需求的增加和联网设备的兴起,IC 厂商需要合作对开源平台进行开发,以设置相应的 IoT 设备之间的互通标准和要求。此外,该报告还强调了汽车工业对无晶圆厂商增长的驱动。

 

“汽车市场预计将在预测时间段内持续增长。受此影响,能够支持部分或高度自动化,直至全自动驾驶的半导体集成电路的需求将显著增长。”一位 Technavio 分析师表示。
 

而仍以高通为例,其崛起同样与技术革新有着分不开的联系。伴随着蜂窝网络技术在 90 年代初的发展,移动通话开始普及,且通话质量也正在提升。但彼时,高通已开始着手于移动数据网络的应用。

 

“大概是自 1993 年起,我们开始将 PC 领域的一些 IP 应用到蜂窝网络中,并将部分互联网协议引入蜂窝网络的标准中。”上述高通发言人对 21 世纪经济报道记者表示,“尽管当时互联网的发展进程明显快于移动网络,但我们在那时就已完成了基础设计布局。我们看好移动网络的未来,所有人都会拥有手机,并通过手机接入移动网络,这会成为一个趋势。”

 

引领了多次“G”升级的高通,自 2008 年首次进入全球 10 大半导体厂商之列后便再未缺席。2017 年,高通营收在全球半导体厂商(不含晶圆代工)中位列第 6,而仍在等待审批,以完成来自高通的收购的恩智浦(NXP)排名则为第 10。

 

不过,在 5G、物联网、人工智能等前沿科技所领跑的“第四次科技革命”中,高通公司的新“远景”正在向其赖以成功的“手机”之外拓展。

 

“我们认为,未来几乎所有终端都会具有连接性、智能化,而这很大一部分将脱胎于智能手机行业。我们在该领域的经验和核心技术已使得我们处于一个有利位置。”高通方面表示。

 

这在高通对待 5G、物联网和人工智能的态度上都得到了体现。高通方面介绍称,在物联网趋势下,随着越来越多的设备趋向智能化、联网化,应用场景也会愈发具体化,因此也会出现面向不同垂直领域的定制化芯片。

 

此外,高通方面认为,4G 向 5G 的升级已不再局限于手机通讯和数据传输的提升。工业物联网、消费电子、医疗保健等产业都将是 5G 的应用场景,这也就需要除手机厂商、网络运营商、基础设施厂商和半导体厂商外,有更多的产业参与其定义。5G 将成为一个不只局限于满足手机行业的更加灵活的网络架构。21 世纪经济报道

 

4. 国家制造业创新中心落户复旦张江校区 聚焦集成电路研发;

位于复旦大学张江校区里的国家集成电路创新中心,在今年 1 月份已获批上海市集成电路制造业创新中心。几天前,由工信部、中科院、中国工程院等单位专家出席的论证会上,一致通过了该中心“升格”为国家制造业创新中心的建设方案。

 

一流平台:产学研携手攻关

复旦大学微电子学院执行院长张卫教授说,中心依托上海集成电路制造创新中心有限公司,采用“公司+联盟”的产学研一体化方式,由复旦大学牵头,联合行业龙头企业中芯国际、华虹集团等,建立集成电路产业链上下游协同机制,以行业协同创新模式组建。上海集成电路制造创新中心有限公司是由复旦大学、中芯国际和上海华虹集团共同出资组建的实体公司。其中,中芯国际是中国内地规模最大、技术最先进的集成电路晶圆代工企业,也是世界先进集成电路晶圆代工企业之一。华虹集团是国家“909”工程的成果与载体,是以集成电路制造业务为核心的多业务平台共同发展的集成电路产业集团。复旦大学的微电子学科,源于谢希德先生等在上世纪 50 年代创办的半导体物理专业,在国内外享有盛誉,拥有国内高校唯一一家集成电路设计领域国家重点实验室——“专用集成电路与系统国家重点实验室”。


创新成果:快速低耗存储器

 

张江校区里的一幢三层小楼、28 名专职“勇士”,这就是这个国家级中心目前的家底,近年来硬是凭着一股闯劲,已经取得了重要创新成果。张卫院长说:“我们研发的半浮栅器件,是一种全新原理的微电子基础器件,它巧妙地将隧穿场效应晶体管(TEET)和浮栅晶体管相结合,构建成了一种全新原理的微电子器件,我们把它命名为半浮栅晶体管(Semi-Floating Gate Transistor,简称 SFGT)。它的优点是速度快、功耗低。这项成果得到了国际同行的广泛关注,评价这项成果时将它称为‘晶体管中的混合动力赛车登场了’。”美国一家技术咨询公司对这项成果给出的评价是:“半浮栅晶体管能够解决动态随机存储器(DRAM)芯片面临的技术问题,有潜在的技术能力来替代 DRAM。”
此外,半浮栅晶体管还可应用于 CPU 芯片的缓存。现有缓存通常采用 6 个晶体管构成的 SRAM 结构,集成度低、占用面积大。如果采用半浮栅晶体管,则面积能缩小为原来的 20%。SFGT 还可以应用于图像传感器芯片(APS),提高填充因子,使图像传感器芯片的分辨率和灵敏度得到显著提升。

 

研发目标:3 纳米集成电路

现在,张卫教授的心里颇为踏实,由复旦大学牵头组建的国家集成电路创新中心,能够充分发挥高校和科研院所资源共享的优势,为产业界合作搭建共性技术研发平台;可以更好地汇聚高端人才,开展源头创新,掌握核心技术,从而增强集成电路领域的国际合作能力,为我国集成电路产业技术提升提供服务,并为产业发展提供人才支撑。

 

“我们是一个中立的、公共的共性技术研发平台,跟企业的研发中心不一样。企业研发中心主要是做目标产品技术的研发,我们这个中心是瞄准集成电路的关键共性技术,突出共性技术研发能力、行业服务与成果转化的能力。”张卫说,共性技术研发工作目前主要集中在 5 纳米及以下集成电路的共性技术,聚焦新器件新工艺研发,目的是解决我国集成电路主流技术方向选择和可靠技术来源问题,支持高端芯片在国内制造企业实现生产。“中心目前正在开展纳米线围栅器件、半浮栅晶体管等新器件和新工艺的研发,到 2022 年年底,将系统地开展集成技术研发,打通 5 纳米集成电路关键工艺,并开展 3 纳米前瞻技术的研发,建成具有国际影响力的集成电路先进技术创新中心。”张卫介绍说,复旦大学在张江校区已规划了建设约 2.9 万平方米的微纳电子楼,未来将用于这个国家集成电路创新中心,争取三年里打造一支由 180 名专职科研人员组成的集成电路研发“第一方阵”。


5. 华虹半导体现破顶 传公司冀月产 4 万芯片;

华虹半导体(19.9, 0.08, 0.40%)(01347)现升 1.92%,报 20.2 元;成交约 114 万股,涉资 2305 万元.盘中高见 20.55 元破顶。

 

恒指现报 30923,上升 430 点,主板成交 184.99 亿元。

 

据闻华虹计划将无钖生产线扩大产能,到 2020 年月产可达 4 万芯片.公司早前获麦格理维持跑赢大市评级,目标价 23 元。