全球资料经济快速成长,极速增加的数据量对存储器提出更高要求,对于 NAND Flash 芯片需求量亦持续增加,美光执行长 Sanjay Mehrotra 日前表示,尽管全球存储器厂商纷扩增旗下 NAND Flash 产能,预期 2018 年以后全球 NAND Flash 产能供给将以每年平均 40%速度稳定成长,然因与 NAND Flash 市场需求增长态势相当,众厂扩产动作不一定会导致产能过剩问题。 

 

全球存储器芯片供应商均观察到 NAND Flash 市场需求增长态势,包括三星电子(Samsung Electronics)、SK 海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)、威腾(WD)及美光等,持续投资扩增 NAND Flash 产能,美光更预期 NAND Flash 需求增长将会远超过 DRAM。 美光认为,随着 NAND Flash 存储器从 2D 转向 3D 世代,生产制造的资本需求大幅增加,相较于先前 2D NAND Flash 世代,第一代 32 层 3D NAND Flash 在每片晶圆产出位元数量虽显著增加,然在每一接续世代节点转换时,不仅资本支出随之增加,每片晶圆产出位元的增长速度亦减缓下来,过去 3 年来 NAND 产能供给成长幅度维持在约 40%,未来即使资本支出有所提升,预期产能增长速度亦将维持在约 40%的水准。 

 

以美光的情况为例,为取得更好的投资报酬率,并领先竞争对手,美光持续投资先进制程节点开发,在 2013 年时,美光仍以 20 纳米制程生产 MLC 2D NAND Flash,当时相较于竞争对手约有 65%的成本劣势,然过去几年美光持续加码先进制程资本支出,目前在 3D NAND Flash 市场已站稳领先群角色,2017 年成本优势已超过竞争对手达 15%。

 

 事实上,美光旗下 NAND Flash 业务转折点可说是始自 2015 年,当时美光与英特尔合作导入 CUA(CMOS under Array)架构,转型到 32 层 3D NAND Flash,正是该架构替美光带来显著的成本效益,2017 年 64 层 3D NAND 及 2018 年 96 层 3D NAND 均沿用 CUA 架构,第四代 3D NAND 更结合 CUA 架构与 Charge Trap Cell 技术,可增加频宽逾 30%,并降低功耗至少 40%,以符合未来多重终端市场的需求。 

 

美光预期 2017~2021 年 NAND Flash 需求将以年复合增长率 40~45%的速度成长,其增长动能大多数来自于更多先进客户端与企业用 SSD 需求挹注,且随着高画质影音及影像需求更多的移动储存空间,移动市场亦将是带动 NAND Flash 需求增长的关键动能之一。 

 

根据美光提供的资料显示,2013~2017 年 NAND Flash 需求增长 325%,且绝大多数来自于移动 NAND 的增加,同时客户端和企业用固态硬碟(SSD)采用量亦增加,这是由于服务器厂商持续以 SSD 取代传统 HDD。 

 

硬碟供应商威腾于 2016 年收购第二大 SSD 厂商闪迪,英特尔亦开始生产 3D NAND 及企业用 SSD,以搭配自家服务器处理器使用,如今由闪迪延揽来的美光执行长 Sanjay Mehrotra 及重要干部,正带领美光营运发展及改善旗下 SSD 产能与产品结构。