MOSFET价格水涨船高,DRAM价格跳水,背后有什么原因?

2019-01-11 15:50:12 来源:EEFOCUS
标签:
DRAM   MOSFET   IGBT

 

MOSFET的缺货从2016年下半年就已经开始,一直持续到现在。到了2018年,MOSFET产能继续大缺,下半年出现缺货潮,ODM/OEM厂及系统厂客户抢产能,台厂大中、富鼎、尼克森、杰力等也第3季订单全满,接单能见度直至年底,正酝酿下一波价格调涨。

 

 

据了解,MOSFET的这波涨价主要由于上游晶圆代工厂产能有限,加之需求市场火爆,引发缺货潮。业界预料以目前MOSFET缺货情况判断,供给吃紧可能持续至2019年上半年。这其中,汽车及工业应用对MOSFET需求上涨是一方面推手,另一方面,大型企业重新聚焦于更高端、毛利率更高的产品,如汽车及工业应用的IGBT、碳化硅MOSFET、超接面MOSFET,使得通用MOSFET与IGBT的交期增加至6个月以上,这为MOSFET的供应紧张更加了一把火。

 

另外,据12.3日消息,G20峰会之后,中美贸易紧张情势趋缓,晶圆与MOSFET在市场持续供不应求,缺货情况继续发酵,再度成为资金追逐焦点,激励晶圆和MOSFET的股价上涨。

 

 

晶圆厂环球晶透露,至9月底预收款高达220亿元新台币,较第2季增加88亿元新台币,并创下历史新高纪录,显示客户需求强劲。环球晶预期,明年平均单价将高于目前水平,2020年报价将持平或小幅上扬。MOSFET厂杰力预期,明年上半年MOSFET市场仍将维持供不应求热况,产品还有涨价空间。

 

与此形成鲜明对比的是,前一段时间不断涨价的DRAM开始走下坡路了。

 

据集邦咨询的最新报告,第四季DRAM合约价二次下修,2019年第一季跌幅持续扩大。

 

报告中指出,今年第四季DRAM价格正式反转向下,11月合约价甚至出现二次下修的状况,以目前成交方式来看,已有部分比重的合约价改以月(monthly deal)方式进行议价,显示买方对于DRAM价格后势看法悲观,预计2019年第一季DRAM合约价跌幅将持续扩大。

 

以今年11月来看,4GB与8GB的价格除了高价仍有维持之外,在中低价都已调降,主流模组4GB的均价较10月的31美元滑落至30美元,跌幅3.2%;8GB亦同,均价由上个月的61美元滑落至60美元,跌幅1.6%。

 

观察今年第四季DRAM平均销售单价有近8%的跌幅,其中以标准型存储器、服务器存储器与利基型存储器为最,季跌幅都接近10%;而行动式存储器由于先前缺货时涨价幅度较小,因此第四季的跌幅相对较小,仅约5%。

 

展望明年第一季,DRAMeXchange指出,供给面较2018年第四季持续增加,主要来自于1Ynm制程良率持续改善、投入比重持续增加,以及三星平泽厂在今年第四季的持续增产;而每年首季都是传统需求淡季,加上2019年第一季智能手机的出货力道恐怕较往年更为疲弱,恐将造成行动式存储器价格跌幅扩大。从整体DRAM价格来看,明年第一季跌幅较今年第四季更为显著恐怕是不可避免的状况。

 

供给增加、需求更趋弱化,DRAM整体市况将持续走弱,看来短期内,DRAM是逃不脱跌跌不休的命运了。

 
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