近日,华信研究院发布了《集成电路产业投融资白皮书(2018)》涉及集成电路产业发展和技术动态,例如在制造方面,介绍了中芯国际、华虹、长江存储、合肥长鑫的最新技术进展。

 

2018 年 7nm 工艺量产,5nm、3nm 工艺正在开发中,目前将 16/14nm 以下的工艺节点成为先进制程,16/14nm 以上的工艺节点为成熟制程。

 

先进制程主要用于高性能计算领域例如海思麒麟 980 就采用了 7nm 工艺。

 

在存储器方面,先进制程和架构创新推动存储器性能持续提升,2018 年,各大厂商纷纷推出新一代 3D NAND 技术,例如长江存储的 Xtacking。

 

而我国集成电路制造水平落后国际先进水平两代以上,先进制程的缺失限制创新应用领域集成电路发展。不过我们也能看到本土 IC 制造的希望,例如,中芯国际预计在 2019 年实现 14nm 量产,华虹在实现 28nm 量产以后,也在积极布局 14nm 研发。

 

(图片来源:华信研究院)

 

中芯国际

中芯国际预计 28nm HKC+工艺 2019 上半年正式量产,14nm 工艺于 2019 年下半年量产。

 

华虹宏力

华虹宏力已量产 28nm 工艺,14nm 工艺已经开始研发。

 

华虹一厂、华虹二厂、华虹三厂为 8 英寸生产线,月产能分别为 6.5 万片、5.9 万片、5 万片,总产能达 17.4 万片;华虹五厂、华虹六厂(在建)、华虹七厂(在建)为 12 英寸生产线,华虹五厂月产能 3.5 万片,华虹六厂目前月产能为 1 万片,最终将达到 4 万片,华虹六厂月产能规划为 4 万片。在工艺方面,华虹一厂工艺节点为 95nm,华虹二厂工艺节点为 0.18um,华虹三厂为 90nm,12 英寸工艺引导线和研发平台,先导工艺研发进入到 16-14nm 以下,华虹五厂工艺节点为 55-28nm,华虹六厂工艺节点为 28-14nm,在建的华虹七厂计划于 2019 年投产并采用成熟工艺。

 

到 2020 年,华虹集团制造基地将扩张到金桥、张江、康桥、无锡 4 个地方;工艺技术延伸至 14nm;总产能将增加至 35 万片 / 月(折合 8 英寸)。

 

长江存储

长江存储 2018 年量产了 14nm 制程、32 层 64GB 3D NAND 闪存,2019 年底将量产 64 层 3D NAND 闪存。为了尽快缩短与国外厂商的差距,长江存储将在 2020 年量产 128 层堆栈的 3D 闪存。

 

合肥长鑫

合肥长鑫已在 2018 年底量产 8Gb DDR4 DRAM 工程样品,并计划于 2019 年 Q3 正式推出 8GB LPDDR4 DRAM ,年底有望达到 2 万片的月产能。