初生已成虎狼之势,国产大硅片企业自有燎原之法?

2019-02-03 10:27:50 来源:EEFOCUS
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中环环欧
天津市环欧半导体材料技术有限公司成立于2000年,国有控股企业,前身为天津半导体材料厂,是我国最早的半导体材料专业生产厂家之一,拥有50余年的半导体晶体生产历史和专业经验。公司经营的产品全部由公司独立开发和生产,拥有多项国家授权发明专利,形成了直拉单晶硅、区熔单晶硅、直拉硅片、区熔硅片四大产品系列。环欧区熔硅单晶/片的国内市场占有率超过75%以上,全球市场占有率超过18%,成为中国最大、全球第三的经销商。

 

2008年开始环欧公司先后投资成立了天津中环领先材料技术有限公司(主要产品:抛光片)、内蒙古中环光伏材料有限公司(主要产品:太阳能硅片)、内蒙古欧晶石英有限公司(主要产品:石英埚)、天津环欧国际硅材料有限公司(贸易公司)、呼和浩特市欧通能源科技有限公司(主要 产品:再生砂)。各子公司的组建延伸了环欧公司的产业链,拓展了产品应用领域,为进一步拓展国内外市场提供了强有力的保障。

 

产品信息:

本征及超高阻区熔硅单晶(FZ-Silicon):通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,其电阻率通常在1000Ωcm 以上,主要用于制作高反压器件和光电子器件。
 

中子辐照区熔硅单晶(NTDFZ-Silicon):本征区熔硅单晶通过中子辐照可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性。主要用于制作硅整流器(SR)、可控硅(SCR)、巨型晶体管(GTR)、晶闸管(GRO)、静电感应晶闸管(SITH)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、超高压二极管(PIN)、 智能功率器件(SMART POWER)、功率集成器件(POWER IC)等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料。

 

气相掺杂区熔硅单晶(GDFZ-Silicon):利用杂质的扩散机理,在用区熔工艺拉制硅单晶的过程中加入气相杂质,从根本上解决了区熔工艺掺杂困难的问题,可得到任意导电型号、宽电阻率范围、电阻率均匀性与中子辐照相当的大直径低成本区熔气掺硅单晶,其电阻率在0.01-200Ω.cm,少子寿命达500-2000s,径向电阻率不均匀性≤10%,。适用于制作各类半导体功率器件、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、高效太阳能电池等。
 

直拉区熔硅单晶(CFZ-Silicon):采用直拉与区熔两种工艺相结合的方式拉制硅单晶,产品质量介于直拉单晶和区熔单晶之间。可掺入特殊元素例如镓(Ga)、锗(Ge)等。采用直拉区熔法制备的新一代CFZ太阳能硅片,其各项性能指标均远优于当前全球光伏产业使用的各类硅片,太阳能电池转换效率高达24-26%。产品主要应用于特殊结构、背接触、HIT等特殊工艺制作的高效太阳能电池上,并更为广泛的用于LED、功率器件、汽车、卫星等众多产品和领域中。

 



 

宁夏银和
宁夏银和半导体科技有限公司成立于2015年。公司主要经营半导体晶锭、硅片的生产、销售及进出口;半导体集成电路零部件生产、配套、销售及进出口;半导体材料的研发、咨询服务。

 

产品信息:

今年3月,总投资16亿元的宁夏银和半导体科技有限公司大尺寸半导体硅片项目在银川经济技术开发区开工。该项目建成后,可年产420万片8英寸半导体级单晶硅片和年产240万片12英寸半导体级单晶硅片。

 

中晶(嘉兴)半导体

中晶(嘉兴)半导体有限公司年产480万片300mm大硅片项目选址嘉兴科技城产业加速与示范区。其中一期投资60亿元,固定资产投资超56亿元,用地面积139亩,计划建设300mm单晶硅片生产线。

项目计划于2021年2月竣工投产,建成后规划年产能可达480万片300mm大硅片,预计实现年销售产值达35亿元。该项目投资强度可达每亩4080万元,年产出可达每亩2450万元,年税收不低于每亩200万元,具有投资强度大、土地使用率高、产出效益高、税收贡献大等特点。

 

总结
虽然目前与国外企业差距甚大,但是中国企业的追赶也已经起步。中国企业在半导体大硅片材料、设备领域较为薄弱,需要与国际领军企业交流学习技术,借鉴成功经验,发展壮大。助力中国半导体产业的崛起。

 

在未来的数年,物联网、人工智能、汽车电子的火热,势必会持续推动半导体市场的发展,全球晶圆厂关闭潮,与国内疯狂建晶圆代工厂的现状,必然给国内带来巨大的硅片需求,因此建设自主的硅片供应商是势在必行,国内企业扬帆起航指日可待。

 

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邱丽婷
邱丽婷

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