2019 年 3 月 19 日,美国加州 Anaheim 应用电源电子会议(APEC),美国新泽西州普林斯顿 --- 碳化硅(SiC)功率半导体制造商 UnitedSiC 宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压 MOSFET 的控制器 IC 共同封装的 SiC JFET 晶片,由此可制造出速度极快,基于共源共栅的 20~100W 反激式产品。这些常导通型 SiC JFET 的工作电压范围为 650~1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功耗,是大型反激式 AC-DC 应用市场的理想选择,其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。

 

控制器 IC 制造商可受益于较小的晶片尺寸,并具有极低 RDS(ON)和电容。常导通型 JFET 在与控制器 IC 中集成的低 Qg 低压 MOSFET 配合使用时,有助于满足轻载和空载下功率消耗的相关法规。

 

SiC JFET 在应对重复的雪崩和短路时具有非常强大的能力,使 SiC 共源共栅在实用中非常稳健。SiC JFET 与控制 IC 中的 LV MOSFET 串联连接,常导通型 JFET 的源极电压在 JFET 关断之前升至 12V,IC 开始切换。经过 JFET 的电流路径可以用作控制器 IC 的启动电源。在转换器开始工作后,来自转换器变压器的辅助电源被门控(gated-in),没有进一步的功率损耗。

 

典型的低功率反激式应用包括笔记本电脑和移动设备充电器(20~65 W)等消费类电子辅助设备,其他应用还包括工业应用(如电机驱动)的宽输入(高达 1400V)反激辅助电源,以及长 LED 串等高功率照明应用。

 

UnitedSiC 首席执行官 Chris Dries 表示:“随着这些新型 SiC JFET 的推出,UnitedSiC 现在已经位居业内拥有最广泛 SiC 功率产品组合厂商之列,我们能够通过晶片和分立封装形式来提供高性能 JFET 功能。”

 

供货信息

目前仅有 UnitedSiC 能够提供七种晶片可供选择,电压额定值为从 650~1700V,RDS(ON)值低至 140mΩ,晶片具备三种尺寸,可小至 0.8 mm x 0.8mm,以便于实现共同封装。