如何判别场效应管的好坏呢?以下分别从 6 个方面介绍 mos 管的判别方法:用测电阻法判别结型场效应管的电极,用测电阻法判别场效应管的好坏,用感应信号输人法估测场效应管的放大能力等。


mos 管是金属—氧化物 - 半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的,他们都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET 的增益等于它的 transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为 N 沟道和 P 沟道,以下为 N 沟道和 P 沟道符号。

 


用指针式万用表对 MOS 管进行判别



(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极

根据场效应管的 PN 结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。



具体方法:将万用表拨在 R×1k 档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极 D 和源极 S。因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极 G。也可以将万用表的黑表笔(红表笔也行)任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大,说明是 PN 结的反向,即都是反向电阻,可以判定是 N 沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极;若两次测出的电阻值均很小,说明是正向 PN 结,即是正向电阻,判定为 P 沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止。



(2)用测电阻法判别场效应管的好坏

测电阻法检测 MOS 管是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极 G1 与栅极 G2 之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。


具体方法:首先将万用表置于 R×10 或 R×100 档,测量源极 S 与漏极 D 之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极。然后把万用表置于 R×10k 档,再测栅极 G1 与 G2 之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的。要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测。


(3)用感应信号输人法估测场效应管的放大能力

具体方法:用万用表电阻的 R×100 档,红表笔接源极 S,黑表笔接漏极 D,给场效应管加上 1.5V 的电源电压,此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极 G,将人体的感应电压信号加到栅极上。这样,由于管的放大作用,漏源电压 VDS 和漏极电流 Ib 都要发生变化,也就是漏源极间电阻发生了变化,由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小,说明管的放大能力较差;表针摆动较大,表明管的放大能力大;若表针不动,说明管是坏的。


根据上述方法,我们用万用表的 R×100 档,测结型场效应管 3DJ2F。先将管的 G 极开路,测得漏源电阻 RDS 为 600Ω,用手捏住 G 极后,表针向左摆动,指示的电阻 RDS 为 12kΩ,表针摆动的幅度较大,说明该管是好的,并有较大的放大能力。


(4)用测电阻法判别无标志的场效应管

首先用测量电阻的方法检测 MOS 管得找出两个有电阻值的管脚,也就是源极 S 和漏极 D,余下两个脚为第一栅极 G1 和第二栅极 G2。把先用两表笔测的源极 S 与漏极 D 之间的电阻值记下来,对调表笔再测量一次,把其测得电阻值记下来,两次测得阻值较大的一次,黑表笔所接的电极为漏极 D;红表笔所接的为源极 S。用这种方法判别出来的 S、D 极,还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证,即放大能力大的黑表笔所接的是 D 极;红表笔所接地是 8 极,两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极 D、源极 S 的位置后,按 D、S 的对应位置装人电路,一般 G1、G2 也会依次对准位置,这就确定了两个栅极 G1、G2 的位置,从而就确定了 D、S、G1、G2 管脚的顺序。


(5)用测反向电阻值的变化判断跨导的大小

对 VMOSN 沟道增强型场效应管测量跨导性能时,可用红表笔接源极 S、黑表笔接漏极 D,这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的,管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在 R×10kΩ的高阻档,此时表内电压较高。当用手接触栅极 G 时,会发现管的反向电阻值有明显地变化,其变化越大,说明管的跨导值越高;如果被测管的跨导很小,用此法测时,反向阻值变化不大。


(6)管脚测定 MOS 管好坏

①栅极 G 的测定:用万用表 R&TImes;100 档,测任意两脚之间正反向电阻,若其中某次测得电阻为数百Ω),该两脚是 D、S,第三脚为 G。


②漏极 D、源极 S 及类型判定:用万用表 R&TImes;10kΩ档测 D、S 问正反向电阻,正向电阻约为 0.2&TImes;10kΩ,反向电阻(5 一∞)X100kΩ。在测反向电阻时,红表笔不动,黑表笔脱离引脚后,与 G 碰一下,然后回去再接原引脚,出现两种情况:


a. 若读数由原来较大值变为 0(0&TImes;10kΩ),则红表笔所接为 S,黑表笔为 D。用黑表笔接触 G 有效,使 MOS 管 D、S 间正反向电阻值均为 0Ω,还可证明该管为 N 沟道。


b. 若读数仍为较大值,黑表笔不动,改用红表笔接触 G,碰一下之后立即回到原脚,此时若读数为 0Ω,则黑表笔接的是 S 极、红表笔为 D 极,用红表笔接触 G 极有效,该 MOS 管为 P 沟道。