与非网 9 月 17 日讯,国内发展半导体的势头虽然很猛,但是近日中科院微电子所的院长指出了国内发展半导体的致命弱点,那就是光刻技术。

 

国内发展半导体产业的决心已经无需多言,目前国内最薄弱的领域还是芯片制造,而在这方面我们又缺少尖端的半导体生产设备,尤其是光刻技术,这是半导体芯片生产中的核心工艺。

 

在 2019 中国集成电路设计大会上,中科院微电子所的院士刘明也谈到了国内集成电路方面的一些技术基础,尤其是光刻方面,指出了在光刻技术方面的进展与不足。

 

根据刘明院士所说,我国在 EUV 光源、多层膜、掩膜、光刻胶、超光滑抛光技术等方面取得了一些研究进展,但是总体来说,国内的光刻技术与国外技术差距依然有 15 到 20 年,是整个集成电路中差距最大的环节。

 

目前荷兰 ASML 公司的 EUV 光刻机已经可以制造 7nm 及以下工艺,但是国内的光刻机只能做到 90nm 工艺级别,多数是用在低端生产线上,或者是面板生产线上,28nm 及以下的工艺依然需要进口 ASML 的光刻机才能解决。

 

与非网整理自网络