上海,2019 年 10 月 30 日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司今日宣布,推出型号为 MB85RS2MTY 的 SPI 2Mbit FRAM(注一)。此款容量最高的 FRAM 产品能在高达摄氏 125 度的高温下正常运作,其评测样品(evaluation sample)现已开始供应。

 

此款 FRAM 非易失性内存在运作温度范围内能保证 10 兆次读 / 写次数,并支持实时记录像驾驶数据或定位数据等,这类需要持续且频繁的数据记录。由于该内存属于非易失性,并且具有高速写入特点,即使遇到突然断电的状况,写入的数据也能完整保留不会遗失。因此,这款产品适用于需在高温环境下运作的应用,像是具有会产生大量热能的引擎或马达的汽车设备与工业机器人

 

富士通电子在过去约 20 年量产各种 FRAM 非易失性内存产品,具备比 EEPROM 及闪存更高的读∕写耐久性、高速写入速度及超低功耗。近几年来,这些产品被广泛应用于可穿戴装置、工业机器人与无人机。

 

这款拥有 2Mbit 密度的产品采用 SPI 接口,支持从 1.8v 至 3.6v 的宽电压范围,且运作耐热度可高达摄氏 125 度;即使在这样的高温环境也能保证 10 兆次的读∕写次数,相当于 EEPROM 的一千万倍;最高运作频率则达到 50 MHz,比现有产品快 1.5 倍。此外,这些产品的可靠性测试符合 AEC-Q100 Grade 1 标准,达到被称为“汽车级”产品的认证标准。

 

此款 FRAM 采用业界标准 8-pin SOP 封装,使其能轻松取代现有类似脚位的 EEPROM 产品。此外,也提供拥有 8-pin DFN(Dual Flatpack Non-leaded)的封装。

 

 

富士通电子持续为 IC 卡、工业机械与消费性装置提供数据写入效能高于 EEPROM 的 FRAM 产品。能在最高摄氏 125 度环境下运作的 FRAM 产品自 2017 年起就已经量产,因此这类 FRAM 逐渐被广泛应用在需要在高温下维持运作与高可靠性的汽车及工业机械市场。此次富士通电子研发并推出最大容量的 2 Mbit 产品,借此强化可运作于高达 125 度的 FRAM 产品阵容。

 

图三:MB85RS2MTY 的主要特色

 

富士通电子将持续提供各种 FRAM 产品与解决方案,协助客户提升各类应用的价值与便利性。

 

关键规格

•  组件型号:MB85RS2MTY

 

•  容量(组态):2 Mbit(256K x 8 位)

 

•  接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

 

•  运作频率:最高 50 MHz 

 

•  运作电压:1.8 伏特 - 3.6 伏特

 

•  运作温度范围:摄氏零下 40 度 - 摄氏 125 度

 

•  读∕写耐用度:10 兆次 (1013 次)

 

•  封装规格:8-pin SOP 与 8-pin DFN

 

•  认证标准:符合 AEC-Q100 Grade 1

 

词汇与备注

 

注一:铁电随机存取内存(FRAM)

 

FRAM 是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通自 1999 年即开始生产 FRAM,亦称为 FeRAM。