与非网 11 月 8 日讯,三星晶圆代工一直搞不过台积电,一个主要原因便是良率问题。

 

三星电子晶圆代工产品传出发现瑕疵。 韩媒爆料,今年稍早,三星第一代 10 奈米(1x 奈米) DRAM 产品就曾出现过问题,这次则是晶圆代工业务出包,恐伤及三星的业界信誉。

 

BusinessKorea 8 日报导,三星南韩器兴(Giheung)厂,因为 8 吋硅晶圆生产线采用了受到污染的设备,导致产品出现瑕疵。 一名三星高层坦承,的确发现瑕疵品,但制程已获修正,损害规模估计有上亿韩元。

 

然而,部分专家直指损害规模也许远多于三星预估。 一名业界人士透露,就我所知,三星并未计算出真正的亏损金额,可能会远比官方估计还多。 

 

晶圆代工产品传出包,恐打击公司信誉,对正在积极投资晶圆代工事业,希望能在 2030 年夺下业界冠军的三星而言,伤害恐怕不小。

 

科技市调机构 IC Insights 11 月 5 日发表研究报告指出,三星今年 Q4 多数资本支出将用来打造内存基础建设、因应中长期需求。 其 Q4 资本支出预计会季增 81%至 79 亿美元,较 2017 年 Q4 的前次历史高(68.77 亿美元)多出 15%。

 

若以今年一整年来看,三星的半导体资本支出将年减 8%至 199 亿美元。 不过,该公司 2017 年、2018 年与 2019 年的半导体合并资本支出将达到 658 亿美元,比英特尔(Intel Corp.) 多出 53%,是同期间内支出次高的业者。 不只如此,三星 2017-2019 年合计 658 亿美元的半导体资本支出,也会较所有中国本土半导体商的合并支出(308 亿美元)高出一倍以上。