与非网 12 月 10 日讯,关于 3nm 工艺,近日台积电又表示其将在 2022 年量产。

 

芯片代工商台积电去年就已量产了 7nm 工艺,并收获了来自华为、苹果和高通的订单,高通新发布的骁龙 865,就将采用台积电在 7nm 工艺基础上改进而来的 N7P 工艺。

 

在 7nm 工艺量产已超过一年之后,台积电接下来的工艺重点就将是更先进的 5nm 和 3nm。

 

5nm 方面,外媒在报道中表示,台积电已经将良品率提升到了 50%,预计未来能提高到 70%,也有达到 80%的可能,预计在明年一季度开始量产。

 

同即将开始量产的 5nm 工艺不同,更先进的 3nm 工艺量产还需要一段时间,台积电的一名高级副总裁透露,3nm 工艺计划在 2022 年大规模量产,这一时间点较最初的计划提前了一年,也就意味着台积电 3nm 工艺研发进展顺利。

 

 

值得注意的是,台积电创始人张忠谋在 2017 年的 10 月份,也就是在他退休前 8 个月的一次采访中,也曾谈到 3nm 工厂,当时他透露采用 3nm 工艺的芯片制造工厂计划在 2022 年建成。从工厂进展方面来看,3nm 也有可能在 2022 年量产。

 

不过关于 3nm 的技术细节,台积电尚未披露。至少三星方面称,FinFET(鳍式场效晶体管,华人科学家、前台积电 CTO 胡正明教授发明)会在 4nm LPE 之后走到尽头。他们提出的新解决方案是 GAA MCFET(多桥通道 FET),且有 3 GAAE(GAA Early)和 3 GAAP(GAA Plus)两代。不过可以肯定的是,3nm 规范正在开发之中,台积电相信它将满足其业内领先的合作客户的要求。事实上,台积电已确认 3nm 将是全新的工艺,而不是 5nm 的简单改进或迭代。

 

在 3nm 工厂的投资方面,张忠谋在那一次的采访中透露,保守估计建成的时候可能会花费 150 亿美元,最终可能会达到 200 亿美元。