奈梅亨,2020 年 2 月 19 日:安世半导体分立器件和 MOSFET 器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,今日宣布推出有史以来最低 RDS(on)的功率 MOSFET。今日推出的 PSMNR51-25YLH 已经是业内公认的低压、低 RDS(on)的领先器件,它树立了 25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的 NextPowerS3 技术实现,并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷 QG 等其他重要参数。

 

 

很多应用均需要超低 RDS(on)器件,例如 ORing、热插拔、同步整流、电机控制与电池保护等,以便降低 I²R 损耗并提高效率。然而,某些具有类似 Rdson 值的同类器件,由于单元间距缩小,其 SOA 能力(衡量 MOSFET 安全工作区指标)及 Idmax 额定电流需要降额。安世半导体的 PSMNR51-25YLH MOSFET 提供高达 380A 的最大额定电流。该参数对电机控制应用尤为重要,因为电机堵转或失速的瞬间可能在短时间内会导致很大的浪涌电流,而 MOSFET 必须承受此浪涌才能确保安全可靠的运行。一些竞争对手仅提供计算出的 ID(max),但安世半导体产品实测持续电流能力高达 380A。

 

该器件采用安世半导体 LFPAK56 封装兼容 5×6mm Power-SO8 封装,提供高性能铜夹结构,可吸收热应力,从而提高质量和寿命可靠性。

 

安世半导体的功率 MOSFET 产品经理 Steven Waterhouse 表示:“借助我们最新的 NextPowerS3 MOSFET,意味着电源工程师现在比以前拥有更多的选择来打造市场领先的产品——电池可以持续更长时间,电机可以提供更大扭矩,服务器可以更加可靠。”

 

典型应用包括:电池保护;直流无刷(BLDC)电机(全桥,三相拓扑);ORing 服务器电源、热插拔和同步整流。

 

如需了解新型低 RDS(on) MOSFET 的更多信息(包括产品规格和数据手册),请访问 www.nexperia.com/nextpowers3  


关于安世半导体
安世半导体是分立器件和 MOSFET 器件及模拟和逻辑集成电路器件领域高产能的生产专家,其器件符合汽车工业的严苛标准。安世半导体非常注重效率,能持续不断地满足全球各类电子设计基础器件的生产需求:年产量高达 900 亿件。其产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面已经成为行业基准,拥有业内最小尺寸的封装技术,可有效节省功耗及空间。 


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