英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出 650V 器件。其全新发布的 CoolSiC™ MOSFET 满足了包括服务器、电信和工业 SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源(UPS)、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。

 

“随着新产品的发布,英飞凌完善了其 600V/650V 细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合,”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监 Steffen Metzger 表示,“这凸显了我们在市场中的独特地位:英飞凌是市场上唯一一家能够提供涵盖硅、碳化硅和氮化镓等材料的全系列功率产品的制造商。而全新 CoolSiC™系列是我们矢志成为工业 SiC MOSFET 开关领域头号供应商的有力支持。”

 

 

650 V CoolSiC™ MOSFET 器件的额定值在 27 mΩ-107 mΩ之间,既可采用典型的 TO-247 3 引脚封装,也支持开关损耗更低的 TO-247 4 引脚封装。与过去发布的所有 CoolSiC™ MOSFET 产品相比,全新 650V 系列基于英飞凌先进的沟槽半导体技术。通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,确保了器件具有出色的可靠性、出类拔萃的开关损耗和导通损耗。此外,它们还具备最高的跨导水平(增益)、4V 的阈值电压(Vth)和短路稳健性。总而言之,沟槽技术可以在毫不折衷的情况下,在应用中实现最低的损耗,并在运行中实现最佳可靠性。

 

与市面上其它硅基以及碳化硅解决方案相比,650 V CoolSiC™ MOSFET 能够带来更加吸引人的优势:更高开关频率下更优的开关效率以及出色的可靠性。得益于与温度相关的超低导通电阻(RDS(on)),这些器件具备出色的热性能。此外,它们还采用了坚固耐用的体二极管,有非常低的反向恢复电荷:比最佳的超结 CoolMOS™ MOSFET 低 80%左右。其换向坚固性,更是轻松实现了 98%的整体系统效率,如通过连续导通模式图腾柱功率因素校正(PFC)。

 

为了简化采用 650 V CoolSiC™ MOSFET 的应用设计,确保器件高效运行,英飞凌还提供了专用的单通道和双通道电气隔离 EiceDRIVER™栅极驱动器 IC。这个解决方案(整合了 CoolSiC™开关和专用的栅极驱动器 IC)有助于降低系统成本和总拥有成本,以及提高能效。CoolSiC™ MOSFET 可与其它英飞凌 EiceDRIVER™栅极驱动器系列 IC 无缝协作。

 

供货情况

650 V CoolSiC™ MOSFET 系列共 8 个版本,采用两种插件 TO-247 封装,现已支持订购。三种专用栅极驱动器 IC 将于 2020 年 3 月起供货。