泛林集团阿斯麦 (ASML) 和比利时微电子研究中心 (imec) 共同研发的全新干膜光刻胶技术将有助于提高 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率。

 

上海 —— 今日,泛林集团 (Nasdaq:LRCX) 发布了一项用于 EUV 光刻图形化的干膜光刻胶技术。泛林集团研发的这项全新的干膜光刻胶技术,结合了泛林集团在沉积、刻蚀工艺上的领导地位及其与阿斯麦 (ASML) 和比利时微电子研究中心 (imec) 战略合作的成果,它将有助于提高 EUV 光刻的分辨率、生产率和良率。泛林集团的干膜光刻胶解决方案提供了显著的 EUV 光敏性和分辨率优势,从而优化了单次 EUV 光刻晶圆的总成本。

 

由于领先的芯片制造商已开始将 EUV 光刻系统应用于大规模量产,进一步提升生产率和分辨率将帮助他们以更合理的成本抵达未来的工艺节点。泛林集团全新的干膜光刻胶应用和显影技术可以实现更低的剂量和更高的分辨率,从而增加生产率并扩大曝光工艺窗口。此外,通过将原材料的用量降低至原来的五分之一到十分之一,泛林集团的干膜光刻胶技术不仅为客户大幅节省了运营成本,同时还为环境、社会和公司治理提供了一种更加可持续的解决方案。

 

“经过阿斯麦及其合作伙伴 20 余年的持续研发,EUV 目前已应用于芯片的大规模量产,”阿斯麦总裁兼首席执行官 Peter Wennink 表示,“通过和泛林集团、比利时微电子研究中心的密切合作,我们致力于让这项技术日趋成熟并得以扩展。这项在干膜光刻胶技术上的战略合作支持芯片制造商用更低的成本实现更高性能芯片的创新,释放技术的潜能以造福社会。”

 

“这一技术突破是协作创新的完美典范,也充分展现了泛林集团与阿斯麦、比利时微电子研究中心极具价值的合作如何持续为客户及行业创造新的效益,”泛林集团总裁兼首席执行官 Tim Archer 表示,“泛林集团一直在沉积和刻蚀工艺上处于领先地位,这一新机会使我们得以将图形化解决方案直接扩展至光敏光刻材料,这令人非常激动。这种新能力展现了泛林集团全面的图形化策略,率先通过多重图形化解决方案推动行业实现器件的小型化,现在则可以通过提升 EUV 光刻的生产率和性能来推动这一目标。”

 

泛林集团正与多家芯片制造商通力合作,以解决这项干膜光刻胶技术应用于 EUV 光刻上的关键挑战。这一全新的干膜光刻胶技术使高级逻辑和存储设备得以继续小型化。

 

“优化图形工艺需要各种各样的技术,比利时微电子研究中心和几家重要的业内伙伴多年来一直保持紧密合作,在图形化工艺的开发上处于领先地位,”比利时微电子研究中心总裁兼首席执行官 Luc Van den hove 谈到,“干膜光刻胶将会成为推动 EUV 光刻进一步应用以及技术路线图加速发展的关键技术。我们和泛林集团、阿斯麦共同合作,旨在优化干膜光刻胶技术以实现其最佳性能。”