特瑞仕半导体株式会社(日本东京都中央区 董事总经理:芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616)开发了作为 MOSFET 的新系列产品 XP231P02013R 和 XP232P05013R。


XP231P02013R(-30V 耐压)和 XP232P05013R(-30V 耐压)是具有低导通电阻和高速开关特性的通用 P 沟道 MOSFET 产品。该
产品可用于各种机器应用,如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。


封装组件均采用了小型 SOT-323-3A(2.1 x 1.25 x h0.95mm),推动机器小型化。


此外,该产品对应 EU RoHS 指令、无铅,是注重环保的产品。


特瑞仕今后也将根据市场需求迅速开发产品,为实现富裕的社会继续做出贡献。

 

▲SOT-323-3A 封装