东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,其“U-MOS X-H 系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的 80V N 沟道功率 MOSFET--- TPH2R408QM 和 TPN19008QM。新款 MOSFET 适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。


U-MOS X-H 系列产品示意图

 

 

新增产品包括采用表面贴装 SOP Advance 封装的“TPH2R408QM”以及采用 TSON Advance 封装的“TPN19008QM”。产品于今日开始出货。

 

由于采用了其最新一代的工艺制造技术,与当前 U-MOS Ⅷ-H 系列中的 80V 产品相比,新款 80V U-MOS X-H 产品的漏源导通电阻降低了大约 40%。通过优化器件结构,漏源导通电阻与栅极电荷特性[1]之间的平衡也得到了进一步的改善[2]。因此,新产品可提供业界最低[3]功耗。

 

东芝正在扩展其降耗型产品线,从而为降低设备功耗提供帮助。

 

应用:

  • 开关电源(高效 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等)

 

  • 电机控制设备(电机驱动等)

 

特性:

  • 业界最低[3]功耗(通过改善导通电阻与栅极电荷特性[2]之间的平衡)

 

  • 业界最低[3]导通电阻:

 

        RDS(ON)=2.43mΩ(最大值)@VGS=10V(TPH2R40QM)

 

      RDS(ON)=19mΩ(最大值)@VGS=10V(TPN19008QM)

 

  • 高额定通道温度:Tch=175℃

 

主要规格:

 

(除非另有说明,@Ta=25℃)

 

 

注释:

[1] 总栅极电荷(栅源+栅漏)、栅极开关电荷、输出电荷。

 

[2] 与 TPH4R008NH(U-MOS Ⅷ-H 系列)进行比较,TPH2R408QM 的漏源导通电阻 x 总栅极电荷改善约为 15%、漏源导通电阻 x 栅极开关电荷改善约为 10%、漏源导通电阻 x 输出电荷改善约为 31%。

 

[3] 截至 2019 年 3 月 30 日,东芝调研。