日前,士兰微发布 2019 年年报,实现营业总收入 31.11 亿元,同比增长 2.80%;公司归属于母公司股东的净利润为 1453 万元。

 

2019 年公司主营业务收入较 2018 年同期上升了 1.43%。公司主要产品包括集成电路分立器件发光二极管(LED)三大类产品,其中集成电路、分立器件的营业收入实现正增长,分别增长 8%、3%,发光二极管(LED)出现负增长,下滑 16%。

 

我们可以看到,经过多年的布局,公司的 IGBT、IPM(智能功率模块)和 MEMS 传感器产品表现亮眼。IGBT 器件成品的营业收入突破 1 亿元人民币,较去年同期增长超过 40%;IPM 营业收入突破 1.6 亿人民币,较去年同期增长 40%以上;MEMS 传感器产品营业收入较去年同期增加超过 120%。

 

2019 年,士兰微公司旗下士兰集成总计产出 5/6 英寸芯片 220 万片,比去年同期减少 7.93%;士兰集昕总计产出 8 英寸芯片 34.48 万片,比去年同期增加 15.50%。特别要注意的是,成都士兰已经具备合计年产 5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸外延片 70 万片的产能,将极大满足公司的内部需求。

 

多年布局,高研发投入,丰富产品线

 

2019 年士兰微研发投入高达 4.25 亿元,占公司营收比例达 13.69%,研发投入较去年 3.5 亿增长超过 20%。

 

士兰微的研发分为两个方面:一是芯片设计研发;二是工艺技术研发。

 

在芯片设计研发方面,设计研发队伍超过 350 人,士兰微依照产品的技术特征,将技术研发工作根据各产品线进行划分。目前主要分为电源与功率驱动产品线、MCU 产品线、数字音视频产品线、射频与混合信号产品线、分立器件产品线等。士兰微持续推动新产品开发和产业化,根据市场变化不断进行产品升级和业务转型,保持了持续发展能力。

 

在工艺技术平台研发方面研发队伍超过 1850 人,士兰微依托稳定运行的 5、6、8 英寸芯片生产线和正在建设的 12 英寸芯片生产线和先进化合物芯片生产线,建立了新产品和新工艺技术研发团队,陆续完成了国内领先的高压 BCD、超薄片槽栅 IGBT、超结高压 MOSFET、高密度沟槽栅 MOSFET、快恢复二极管、MEMS 传感器等工艺的研发,形成了比较完整的特色工艺制造平台。这一方面保证了公司产品种类的多样性,另一方面也支撑了公司电源管理电路、功率模块、功率器件、MEMS 传感器等各系列产品的研发。

 

2019 年,公司研发项目主要围绕电源管理产品平台、功率半导体器件与模块技术、数字音视频技术、射频 / 模拟技术,MCU/DSP 产品平台、MEMS 传感器产品与工艺技术平台、发光二极管制造及封装技术平台等几大方面进行。推出 IGBT、超结 MOSFET 等功率器件和功率模块产品,推出电源管理电路、数字音视频电路、MCU 控制电路、MEMS 传感器等产品,推出高品质的 LED 芯片和成品。

 

数据显示,2019 年公司新增专利数 118 项,累计专利数达到 1049 项目,其中发明专利去年新增 50 项。

 

在发展战略方面,士兰微表示,将持续提升综合能力,发挥 IDM 模式的优势,聚焦高端客户和新的市场。继续加快先进的功率半导体和功率模块技术的研发,加大投入,追赶国际先进水平;拓展这类产品在白电、工业控制、通讯、新能源汽车、光伏等领域的应用。在化合物功率半导体器件的研发上继续加大投入,尽快推出硅基 GaN 功率器件以及完整的应用系统;同时加快 SiC 功率器件中试线的建设。

 

IGBT、IPM、MEMS 传感器齐发力

 

近年来,随着国民经济的快速发展,功率半导体技术的应用日益广泛,小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业,只要涉及到用电的各种场合,就离不开以功率半导体为核心的电力电子技术的应用。

 

士兰微在拓展白电、工业控制等传统市场外,2019 年,旗下子公司士兰集成已开始进行针对“汽车级功率模块产品”的小批量产能扩充,为下一阶段汽车级功率模块厂的建设进行人员和产品储备,预期公司的分立器件产品未来几年将继续快速成长。

 

2019 年,士兰微的分立器件的营收增幅虽然只有 3%,但是在高端产品方面取得了重大突破,首先是 IGBT 器件较去年同期增长超过 40%,营业收入首次突破 1 亿元人民币;IPM 营业收入较去年同期出实现增长超过 40%。营收突破 1.6 亿人民币;MEMS 传感器产品营业收入较去年同期增加超过 120%。

 

而随着高压集成电路、高压超结 MOS 管、高密度低压沟槽栅 MOS 管、TRENCH 肖特基管、大功率 IGBT 等多个工艺平台和产品系列导入量产,士兰集昕 8 英寸产能逐月提升,12 月份产出芯片达到 3.9 万片,创出历史新高,已经接近满载。

 

在 IGBT 方面,2019 年士兰微推出了基于独立自主开发的第三代场截止(Field-Stop III)工艺平台的 1350V RC-IGBT 系列产品,实现在场截止型 IGBT 器件内部集成了续流二极管结构,在家用电磁炉得到应用。士兰集昕的 8 英寸芯片生产线上已经全部实现关键工艺的研发与批量生产,是目前国内为数不多的已全面掌握上述核心技术的大尺寸功率半导体器件厂家。

 

在 MEMS 传感器产品方面,2019 年营业收入同比增长 120%以上。加速度传感器、硅麦克风等产品的参数优化工作取得突破性进展,并在 8 英寸线上实现了小批量产出。目前,公司在智能手机和智能穿戴领域积累了较多的客户群,加速度计累计出货量超过 2 亿只。随着公司 MEMS 传感器产品在智能手机、平板电脑、智能手环、智能门锁、行车记录仪、TWS 耳机、白色家电、工业控制等领域持续拓展,预计今后 MEMS 传感器产品的出货量还将进一步增长。

 

财报显示,2019 年公司语音识别芯片和应用方案已在国内主流的白电厂家的智能家电系统中得到较为广泛的应用;全部芯片自主研发的电动汽车主电机驱动模块完成研发,参数性能指标先进,已交付客户测试。在中美贸易摩擦的背景下,在国产替代加速的机会下,士兰微在新技术新产品新工艺研发应用上的突破,为公司可持续发展增添了动力。

 

厦门基地 12 英寸项目将试产

 

士兰微的厦门生产基地,在 2020 年将进入收获期。士兰微厦门项目,包括 12 英寸特色工艺芯片制造生产线及先进化合物半导体器件生产线。

 

2019 年,厦门士兰明镓公司加快推进项目建设,已相继完成生产厂房的建设、部分工艺设备的安装与调试,并在四季度实现芯片点亮和通线、进入试生产阶段。目前,士兰明镓已有小批量的芯片产出,正在加快客户端的产品认证和导入。

 

2019 年,厦门士兰集科公司加快推进项目建设。目前,主体生产厂房已结顶,正在进行机电设备安装和净化装修,争取在 2020 年三季度进入工艺设备安装阶段,争取在四季度实现试生产。芯思想研究院获悉,士兰微 12 英寸项目已经在杭州下沙基地完成产品研发、人才培养,待厦门厂房建设完成后,实现研发与量产的无缝对接。目前 12 英寸产品良率已达 98.5%以上,符合预期,可靠性验证基本达到国际标准,和多家厂商建立了长期合作关系。

 

芯思想研究院认为,作为我国国内唯一一家具有 5 英寸、6 英寸、8 英寸、12 英寸生产线的 IDM 公司,公司在市场上具有非常强的竞争力。相信随着士兰集昕 8 英寸芯片生产线产能持续爬坡,加上士兰微厦门基地两个项目,将进一步夯实士兰微 IDM 策略,持续推动士兰微整体营收迈向新台阶。