富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出型号为 MB85RS2MLY 的全新 2Mbit FRAM,可在 125℃高温度下正常运行。该器件工作电压可低至 1.7V 至 1.95V,配有串行外设接口(SPI)。目前可为客户提供评测版样品,将在 6 月实现量产。

 

这款全新 FRAM 产品是汽车电子电控单元的最佳选择,满足高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,如 ADAS

 

图 1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

 

图 2:应用实例(ADAS)

 

FRAM 的读 / 写耐久性、写入速度和功耗均优于 EEPROM 和闪存,已有对传统非易失性内存性能不满意的客户采用我们的 FRAM。

 

自 2017 年以来,富士通电子不断推出工作电压 3.3V 或 5V 的 64Kbit~2Mbit 的汽车级 FRAM 产品。但高端汽车电控单元的推出,使得一些客户开始要求 FRAM 的工作电压低于 1.8V。富士通电子近日推出的这款全新 FRAM 正是为了满足这一市场需求而面世的。

 

MB85RS2MLY 在 -40°C 至+125°C 温度范围内可以达到 10 兆次读 / 写次数,适合某些需要实时数据记录的应用,比如连续 10 年每天每 0.1 秒记录一次数据,则写入次数将超过 30 亿。另外,这款产品可靠性测试符合 AEC-Q100 Grade 1 标准,达到汽车级产品的认证标准。因此,在数据写入耐久性和可靠性方面,富士通电子最新推出的这款 FRAM 完全支持 ADAS 等需要实时数据记录的应用。

 

这款 FRAM 产品采用业界标准 8-pin SOP 封装,可轻松取代现有类似引脚的 EEPROM。此外,还提供外形尺寸为 5.0mm x 6.0mm x 0.9mm 的 8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

 

图 3:8pin DFN 和 8pin SOP 封装

 

除 2Mbit FRAM,富士通电子目前正在研发 125°C 温度系列容量为 4Mbit 的存储产品。富士通电子将继续提供内存产品和解决方案,满足市场和客户的未来需求。     

 

关键规格

 

  • 组件型号:MB85RS2MLY

 

  • 容量(组态):2 Mbit(256K x 8 位)

 

  • 接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

 

  • 运作频率:最高 50 MHz 

 

  • 运作电压:1.7 伏特 - 1.95 伏特

 

  • 运作温度范围:摄氏零下 40 度 - 摄氏 125 度

 

  • 读∕写耐用度:10 兆次 (1013 次)

 

  • 封装规格:8-pin SOP 与 8-pin DFN

 

  • 认证标准:符合 AEC-Q100 Grade 1

 

词汇与备注

注一:铁电随机存取内存(FRAM)

 

FRAM 是一种采用铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的情况下仍可保存数据。FRAM 结合了 ROM 和 RAM 的特性,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读 / 写周期的优点。富士通自 1999 年即开始生产 FRAM,亦称为 FeRAM。