宾夕法尼亚、MALVERN —2020 年 8 月 17 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,首度推出 -30 V p 沟道功率 MOSFET---SiRA99DP,10 V 条件下导通电阻降至 1.7 m。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代 SiRA99DP 导通电阻达到业内最低水平,采用热增强型 6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8 单体封装,专门用来提高功率密度

 

日前发布的 MOSFET 导通电阻比市场上排名第二的产品低 43%,降低压降并减小传导损耗,从而实现更高功率密度。SiRA99DP 超低栅极电荷仅为 84 nC,栅极电荷与导通电阻乘积,即开关应用中 MOSFET 的重要优值系数 (FOM) 为 185 m*nC,达到同类产品最佳水平。

 

器件是输入电压 12 V 电路的理想选择,适用于适配器、电池和通用电源开关、反向极性电池保护、 OR-ing 功能,以及电信设备、服务器、工业 PC 和机器人的电机驱动控制。SiRA99DP 减少并联器件数量,换句话说,加大单个器件电流,从而提高功率密度,节省这些应用的主板空间。此外,作为 p 沟道 MOSFET,器件不需要电荷泵提供 n 沟道器件所需的正向栅压。

 

这款 MOSFET 经过 RG 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

 

SiRA99DP 现可提供样品并已实现量产,供货周期为 12 周,视市场情况而定。