与非网 8 月 18 日讯,据悉,第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目,总投资约 9.5 亿元人民币,总建筑面积 5.5 万平方米,新建一条 400 台 / 套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线,项目计划于 2022 年年初完工投产,建成后可年产碳化硅衬底 12 万片。

 

2020 年 8 月 17 日上午,北京天科合达半导体股份有限公司(以下简称“天科合达”)第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式在北京市大兴区黄村镇大兴新城东南工业区隆重举行。

 

 

北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建致欢迎辞,对关心支持项目的各级领导、各界朋友、协作单位表达衷心感谢,杨总表示,天科合达公司将不忘初心,牢记使命,积极进取,致力于打造全球第三代半导体碳化硅衬底材料龙头企业,为我国第三代半导体碳化硅产业发展提供有力支撑。

 

北京市经信局电子信息产业处处长王德表示,化合物半导体材料是集成电路的基石,在现今最火热的 5G 通讯、新能源汽车等市场中具有明确而可观的前景,第三代半导体产业生态延伸是国民经济重要的发展方向,经信局之后也将会在产业政策、项目资金等方面对第三代半导体产业大力支持,优化营商环境,同时祝愿天科合达越做越强,蓬勃发展。

 

项目施工单位中国电子系统工程第四建设有限公司副总裁樊小林祝贺项目顺利开工,并表示参建单位会强化质量意识,安全意识,时间意识,在落实常态化疫情防控措施、保障质量和安全的前提下,抓好项目调度,按项目节点完工。

 

北京天科合达半导体股份有限公司第三代半导体碳化硅衬底产业化项目在大兴区黄村镇开工建设,标志着我国半导体碳化硅衬底产业化的进程又翻开了崭新的一页,必将对我国第三代半导体碳化硅产业的发展产生重大而深远的影响。