全球 NAND 闪存主控芯片设计与营销领导品牌——慧荣科技(NasdaqGS:SIMO)(“Silicon Motion”),今日宣布推出一系列最新款超高性能、低功耗的 PCIe 4.0 NVMe 1.4 主控芯片解决方案以满足全方位巿场需求,包括专为高端旗舰型 Client SSD 设计的 SM2264、为主流 SSD 市场开发的 SM2267,以及适用于入门级新型小尺寸应用的 SM2267XT DRAM-Less 主控芯片。


慧荣科技最新款 SSD 主控芯片解决方案符合 PCIe 4.0 NVMe 1.4 规范,完美展现 Gen4 的超高性能和低功耗特性,结合慧荣独家的错误码纠错(ECC)技术、数据路径和 EMI 保护,提供完整、稳定的数据保护,满足存储设备所需的高效稳定需求。全球已有 10 家重量级客户,包括 NAND 大厂和 SSD OEM 采用慧荣科技的 Gen 4 主控芯片搭载 3D TLC 或 QLC NAND 推出新品。

  

 

市调公司 TrendFocus 副总裁 Don Jeanette 表示:“众所皆知慧荣科技长期以来一直是 SSD 主控芯片技术的领导者。在 Gen 4 规格日渐受到市场重视的同时,该公司于此时推出新品正好抓住最好的时机,而未来几年 Gen 4 势必成为 PC、游戏机及其他消费级设备的标准规格。”

  

慧荣科技总经理苟嘉章表示:“PCIe Gen4 将 SSD 的性能往上推升到另一个层次。我们最新款的 PCIe 4.0 SSD 主控芯片为消费级 SSD 应用提供一套完整的解决方案,能满足全球 PC OEM 和 SSD 模块领导厂商的长远需求。目前,多家 OEM 大厂客户已开始导入我们最新款的 Gen 4 SSD 主控芯片在他们的新品开发中,其中已搭载 SM2267 主控芯片的 SSD 已进入量产阶段。”

  

针对高性能和车用等级的 PCIe Gen 4 解决方案:SM2264 支持 Gen4×4 通道、8 个 NAND 通道设计

SM2264 主要瞄准高性能和车用级 SSD 应用,搭载四核心 ARM® Cortex®-R8 CPU,内含四个 16Gb/s PCIe 数据总线,并支持八个 NAND 通道,每个通道最高可达每秒 1,600 MT。SM2264 的先进架构采用 12nm 制程,能够大幅提升数据传输速率、降低功耗并提供更严密的数据保护,连续读写性能最高可达 7,400MBs/6,800 MBs,随机读写速度最高达 1,000K IOPS,提供使用者前所未有的超高性能体验。ARM® Cortex®-R8 架构提供高速多线程处理能力,可满足新一代存储应用所需的混合工作负载作业需求。SM2264 搭载慧荣科技最新第 7 代 NANDXtend®技术,结合慧荣科技专利的最新高性能 4KB LDPC 纠错码(ECC)引擎和 RAID 功能,为最新一代的 3D TLC 和 QLC NAND 提供极佳的错误纠错能力。内建 SR-IOV 功能的 SM2264 也是车用级存储装置的理想选择,最多可同时为八台虚拟机(VM)提供直接的高速 PCIe 接口。SM2264 目前进入客户送样阶段。


  

 

针对主流和入门级 PCIe Gen 4 的解决方案:SM2267 支持 Gen4×4 通道、4 个 NAND 通道设计;SM2267XT 支持 Gen4×4 通道、4 个 NAND 通道、DRAM-less

  

慧荣科技的 SM2267 和 SM2267XT 满足主流消费级和高性价比 SSD 应用需求,具备四个 16Gb/s 通道的 PCIe 和四个 NAND 通道,每个通道的最高速度为 1,200MT/s,而连续读写性能更可高达每秒 3,900/3,500MB。SM2267 包含 DRAM 接口,而 SM2267XT DRAM-less 主控芯片可在不影响性能的前提下,满足小尺寸的产品设计需求。两者均搭载 NANDXtend® ECC 技术,并支持最新一代 3D TLC 和 QLC NAND,提供高性能、高可靠性,最符合经济效益的 PCIe NVMe SSD 解决方案。SM2267 和 SM2267XT 已进入量产阶段。