与非网 11 月 26 日讯 台积电将于 2022 年下半年开始量产 3 纳米芯片,单月产能 5.5 万片起。

 

报道援引台积电董事长刘德音称,3 纳米芯片开始量产时公司在台南科学园的雇员数将达到约 2 万人,目前为 1.5 万人。

 

在此前 10 月的业绩发布会上,台积电就曾表示,3 纳米制程芯片将会在 2022 年应用于智能手机和高性能计算机平台上。在这个时间节点上,正是苹果每年推出新品的时间点,A 系列处理器估计将吃掉大部分产能,AMD 和英伟达直接使用新工艺的可能性并不大。

 

但是目前有一个问题,就是这些先进制程在性能的提升上并不算大,3 纳米工艺与 5 纳米相比,性能可能提升仅有 10%-15%,功耗降低 25%-30%,而且这些提升是相对这些提升还是相对于原版 5 纳米(N5)的,如果是和随后的工艺改良版(N5P)相比,3 纳米的提升会更小,这些都还是理论数值,具体到实际的产品上面,可能还达不到这样的性能提升,更先进的工艺能不能带来较大的性能提升是接下来的一个大问题。

 

在竞争对手那边,三星电子也定下目标,在 2022 年量产 3 纳米芯。而且和台积电不同,三星在 3 纳米工艺节点上相当激进,三星表示将在最新的 3 纳米工艺中使用新一代环绕式结构场效晶体管“GAA”。同时还表示,基于 GAA 工艺的 3 纳米芯片面积可以比最近完成开发的 5 纳米产品缩小 35%以上,耗电量减少 50%,处理速度可提高 30%左右,相比台积电宣称的提升幅度要大一些。

 

台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。今年 8 月份,台积电高级副总裁米玉杰表示,该公司有计划继续提供有意义的节点改进,直到 N3 及以下。台积电预计 N3 将在 2022 年成为最新、最先进的节点。与 N5 相比,收益同样不大,性能仅提升 1.1-1.15 倍,功耗提升 1.25-1.3 倍。这些增益是相对于 N5 而言的,而不是 N5P。与 7 纳米相比,N3 在同样的功率下,性能应该提高 1.25 倍 - 1.35 倍,或者在同样的性能下功耗降低 1.55 倍 - 1.6 倍。

 

此外,台积电 N3 将继续使用 FinFET 鳍式场效晶体管,而不是过渡到 GAA 环绕式结构场效晶体管。这与三星不同,三星已经表示要在 3 纳米节点使用 GAA。