与非网 12 月 2 日讯,近日,华为旗下哈勃科技投资有限公司新增一家对外投资——瀚天天成电子科技(厦门)有限公司(简称“瀚天天成”),认缴出资额为 977.1987 万元。

 

据了解,瀚天天成成立于 2011 年,是一家集研发、生产、销售碳化硅外延晶片的中美合资高新技术企业,是国内首家产业化 3、4、6 英寸碳化硅外延晶片生产商,同时代理销售半导体相关的产品及技术。股东信息显示,该公司股东还包含华润微电子控股有限公司、龙岩芯思达科技有限公司等。

 

2012 年 3 月 9 日,瀚天天成宣布开始接受商业化碳化硅半导体外延晶片订单,正式向国内外市场供应产业化 3 英寸和 4 英寸碳化硅半导体外延晶片;2014 年 4 月,瀚天天成接受商业化 6 英寸碳化硅外延晶片订单,正式向国内外市场供应商业化 6 英寸碳化硅外延晶片;值得注意的是,瀚天天成近期目标是成为全球市场主要的碳化硅外延晶片供应商。

 

碳化硅(SiC)属于第三代半导体材料,相比于硅基,碳化硅拥有更高的禁带宽度、电导率等优良特性,更适合应用在高功率和高频高速领域,如新能源汽车和 5G 射频器件领域。在此之前,哈勃科技还投资了山东天岳先进材料科技有限公司,持股 10%。山东天岳是我国第三代半导体材料碳化硅龙头企业。

 

新能源汽车为碳化硅的最重要下游领域,主要应用包括主驱逆变器、DC/DC 转换器、充电系统中的车载充电机和充电桩等。特斯拉在 MODEL 3 上使用 24 个 SiC MOSFET 模块作为主驱逆变器的核心部件替代 IGBT,SiC MOSFET 使逆变器效率从 Model S 的 82%提升到 Model 3 的 90%。

 

据 IHS 数据,2018 年碳化硅功率器件市场规模约 3.9 亿美元,预计到 2027 年碳化硅功率器件的市场规模将超过 100 亿美元,9 年间复合增速达 40%。电动汽车、动力电池、光伏风电、航空航天等领域对于效率和功率的要求提升驱动着碳化硅器件市场快速增长,传导到产业链上游,从而也打开了碳化硅晶片制造领域的市场空间。

 

目前全球的碳化硅产业,美国、欧洲、日本三足鼎立。美国占据全球碳化硅产量的 70%-80%,其中,美国 Cree 公司的碳化硅晶片全球市场占有率高达 6 成,属于绝对龙头;欧洲拥有完整的碳化硅衬底、外延、器件以及应用产业链,在全球电力电子市场拥有强大话语权;日本则在设备和模块开发方面占据绝对领先优势。

 

碳化硅晶片领域的高集中度,特别是美国企业的压倒性优势让产业链风险更为突出。逆全球化背景下,碳化硅的国产化势在必行。

 

第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲 11 月 24 日在 2020 国际第三代半导体论坛上透露,双循环模式推动国产化替代,2020 年中国 SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)电力电子和微波射频产值预计将约为 70 亿元。其中, SiC、GaN 电力电子产业产值 2020 年将达到 35.35 亿元,比去年的 29.03 亿元将增长 21.77%。