据韩联社报道,SK 海力士今日宣布,已成功开发出176 层 4D NAND 闪存,这是该公司第三代 4D NAND 产品。

 


图源:韩联社


SK 海力士称,该产品与上一代 128 层产品相比,位元生产率提高了 35%以上,从而增强了成本竞争力。


另外,该产品采用了新的“两段式单元区域选择技术”,单元读取速度比上一代提高了 20%,数据传输速率提高了 33%,并实现了每秒 1.6Gb 的传输速度。


据悉,SK 海力士上月已送样给控制器厂商,计划明年年中开始量产。


该公司自 2018 年开发 96 层 NAND Flash 以来,一直致力于堆叠更多层数的技术升级。它的 4D NAND 结合 PUC(Peri Under Cell)技术和 CTF(电荷撷取)架构设计,以最大化空间效能。


无独有偶,美光也在今年的 11 月 9 日宣布,已开始批量生产全球首个176 层 3D NAND Flash。这款 176 层 NAND 产品采用美光第五代 3D NAND 技术和第二代替换栅极架构。与上一代 128 层 3D NAND 技术相比,将读取延迟和写入延迟改善了 35%以上,基于 ONFI 接口协议规范,最大数据传输速率 1600 MT/s,提高了 33%,混合工作负载性能提高 15%,紧凑设计使裸片尺寸减小约 30%,每片 Wafer 将产生更多的 GB 当量的 NAND Flash。

 


图源:美光


美光新的 176 层 3D NAND 已在新加坡工厂量产,并已通过其 Crucial 消费类 SSD 产品线送样给客户,并将在 2021 年推出基于该技术的新产品,瞄准 5G、AI、云和智能边缘领域的增长机会,满足移动、汽车、客户端和数据中心领域不断增长的存储需求。


忍不住做个比较,从单元读取速度的提高方面,同样是 176 层 NAND 闪存,SK 海力士 4D 工艺下的单元读取速度较上一代提升 20%,而美光的 3D 工艺却提高了 35%以上,有没有内行人士可以提供消息,科普笔者,到底是 SK 海力士的上一代底子好,这一代瓶颈大?还是美光遥遥领先呢?