SiP的三个新特点

传统电子封装电子封装从 1947 年诞生至今，对整个电子系统的发展起了重要且不可或缺的作用，电子封装的功能主要有三点：

① 进行芯片保护，因为硅芯片本身比较脆弱，细小的灰尘和水汽都会破坏它们的功能，因此需要进行保护。

② 进行尺度放大，因为芯片本身都很小，通过封装后进行尺度放大，便于后续 PCB 板级系统使用。

③ 进行电气连接，通过封装，芯片和外界电气连接，进行信息交换。

SiP 系统级封装也属于电子封装，因此电子封装的三个功能 SiP 也都具备，此外，相对于传统电子封装，SiP 具备三个新特点：

以 SiP 为代表的多芯片封装

① 提升功能密度，功能密度是指单位体积内包含的功能单位的数量（关于功能密度的详细解释，可参考电子工业出版社近期即将出版的新书《基于 SiP 技术的微系统》）。从 SiP 到先进封装，最主要的目的和最鲜明的特征就是系统功能密度的提升。

② 缩短互联长度，SiP 将系统电气互联长度从毫米级（mm）缩短到了微米级（um）。互联长度的缩短，带来的好处就是性能提升，功耗降低，这一点，通过 HMB 和 DDRx 的比较大家就能看得很明白。

③ 进行系统重构，以往电子系统的构建是在芯片级（SoC）或者是在板级（PCB）进行，通过 SiP 技术，在一个封装内构建系统并进行优化，我们可以称之为封装级系统重构，Chiplet 技术、异构集成技术就是封装级系统重构的典型代表。

下面，我们用一张图对本文的描述进行总结。在传统封装的三个功能之上，SiP 又增加了三个新的特点：提升功能密度，缩短互联长度，进行系统重构。SiP 这三个新特点，传统封装并不具备。

传统封装和 SiP 的特点比较

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新书《基于 SiP 技术的微系统》将会在几个月后，由电子工业出版社正式出版。

该书内容涵盖“概念和技术”、“设计和仿真”、“项目和案例”三大方面，总共 30 章。

内容包括了功能密度定律、Si³P 和 4D 集成等原创概念，先进封装（HDAP）最新技术介绍，以及 Wire Bonding、Cavity、Chip Stack、2.5D TSV、3D TSV、RDL、Fan-In、Fan-Out、Flip Chip、分立式埋置、平面埋置、RF、Rigid-Flex、4D SiP 等详细设计方法、电气验证及物理验证，对 SiP 及相关的技术进行了综合而详尽的阐述。关注 SiP、微系统、先进封装技术的读者可以参考。

书籍构思图，最终以正式出版的实体书为准