日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款通过 AEC-Q101 认证的 100 V p 沟道 TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP 不仅是业内首款鸥翼引线结构 5 mm x 6 mm 紧凑型 PowerPAK® SO-8L 封装器件,而且 10 V 条件下其导通电阻仅为 30 m,达到业内优异水平。

 

日前发布的新款汽车级 MOSFET 与最接近的 DPAK 和 D2PAK 封装竞品器件相比,导通电阻分别降低 26 %和 46 %,占位面积分别减小 50 %和 76 %。SQJ211ELP 低导通电阻有助于降低导通功耗,从而节省能源,10 V 条件下优异的栅极电荷仅为 45 nC,减少栅极驱动损耗。

 

这款新型 MOSFET 可在+175°C 高温下工作,满足反向极性保护、电池管理、高边负载开关和 LED 照明等汽车应用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP 鸥翼引线结构还有助于提高自动光学检测(AOI)功能,消除机械应力,提高板级可靠性。

 

器件 100 V 额定值满足 12 V、24 V 和 48 V 系统多种常用输入电压轨所需安全裕度。此外,作为 p 沟道 MOSFET,SQJ211ELP 可简化栅极驱动设计,无需配置 n 沟道器件所需电荷泵。 MOSFET 采用无铅(Pb)封装、无卤素、符合 RoHS 标准,经过 100 % Rg 和 UIS 测试。

 

SQJ211ELP 现可提供样品并已实现量产,供货周期为 14 周。